形成半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02825735.9

申请日：

2002-12-19

公开(公告)号：

CN100367470C

公开(公告)日：

2005-04-13

发明(设计)人：

W－J·齐 J·G·培勒因 W·G·恩 M·W·迈克尔 D·A·陈

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L21318 H01L21335

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊;程伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-02-06	授权	授权
2005-04-13	公开	公开
2023-01-06	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/31 申请日:20021219 授权公告日:20080206

共 50 条

[1]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

塔特·恩盖 ;

比施－银·恩古银 ;

维德亚·S·考什克 ;

詹姆斯·K·III·谢弗 .

中国专利 :CN1288755C ,2004-08-11

[2]

形成半导体装置的方法 [P].

蒋友邦 .

中国专利 :CN119812102A ,2025-04-11

[3]

半导体装置的形成方法 [P].

傅世豪 ;

周鸿儒 ;

张哲纶 ;

郭俊铭 ;

彭远清 ;

林颂恩 ;

郑农哲 ;

王俊尧 .

中国专利 :CN114038801A ,2022-02-11

[4]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

卢琳蓁 ;

辛格·古尔巴格 ;

蔡宗翰 ;

王柏仁 .

中国专利 :CN113206086A ,2021-08-03

[5]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

卢琳蓁 ;

辛格·古尔巴格 ;

蔡宗翰 ;

王柏仁 .

中国专利 :CN113206086B ,2025-10-21

[6]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

赵南奎 ;

洪承秀 ;

成金重 ;

李承勳 ;

李正允 .

中国专利 :CN110277453A ,2019-09-24

[7]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

赵南奎 ;

洪承秀 ;

成金重 ;

李承勳 ;

李正允 .

韩国专利 :CN110277453B ,2024-07-12

[8]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

岩本正次 .

中国专利 :CN107204297A ,2017-09-26

[9]

形成半导体装置的方法 [P].

张競予 ;

陈哲明 ;

李资良 .

中国专利 :CN115394633A ,2022-11-25

[10]

形成半导体装置的方法 [P].

王证鈜 ;

陈冠荣 ;

李宗霖 ;

江文智 .

中国专利 :CN113690189A ,2021-11-23

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