半导体装置及形成半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110101538.1

申请日：

2021-01-26

公开(公告)号：

CN113206086B

公开(公告)日：

2025-10-21

发明(设计)人：

卢琳蓁辛格·古尔巴格蔡宗翰王柏仁

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/03

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

专利权期限的补偿

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H10D 84/85申请日:20210126授权公告日:20251021原专利权期满终止日:20410126现专利权期满终止日:20410821
2025-10-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

卢琳蓁 ;

辛格·古尔巴格 ;

蔡宗翰 ;

王柏仁 .

中国专利 :CN113206086A ,2021-08-03

[2]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

林振华 ;

季彦良 ;

冉景涵 .

中国专利 :CN115411110A ,2022-11-29

[3]

半导体装置的形成方法及半导体装置 [P].

吕文雄 ;

黄晖闵 ;

郑明达 ;

林威宏 ;

颜晨恩 ;

刘旭伦 .

中国专利 :CN113135549A ,2021-07-20

[4]

半导体装置的形成方法及半导体装置 [P].

吕文雄 ;

黄晖闵 ;

郑明达 ;

林威宏 ;

颜晨恩 ;

刘旭伦 .

中国专利 :CN113135549B ,2025-01-07

[5]

半导体基板、半导体装置、及半导体装置的制造方法 [P].

竹中充 ;

高木信一 ;

秦雅彦 ;

市川磨 .

中国专利 :CN101960605A ,2011-01-26

[6]

半导体基板、半导体装置、及半导体结构的形成方法 [P].

陈志谚 .

中国专利 :CN113838904A ,2021-12-24

[7]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

彭士玮 ;

林威呈 ;

曾健庭 .

中国专利 :CN112216695A ,2021-01-12

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

井上敦文 ;

绵引达郎 ;

松藤健五 ;

原幸治郎 .

中国专利 :CN113169055A ,2021-07-23

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

冈秀明 ;

金本启 .

中国专利 :CN101013708A ,2007-08-08

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

加藤树理 .

中国专利 :CN100514651C ,2007-04-04

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