形成半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410356125.1

申请日：

2024-03-27

公开(公告)号：

CN119812102A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

蒋友邦

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市泰山区南林路98号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/02

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;张铮铮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	公开	公开
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240327

共 50 条

[1]

形成半导体装置的方法 [P].

W－J·齐 ;

J·G·培勒因 ;

W·G·恩 ;

M·W·迈克尔 ;

D·A·陈 .

中国专利 :CN100367470C ,2005-04-13

[2]

半导体装置的形成方法 [P].

傅世豪 ;

周鸿儒 ;

张哲纶 ;

郭俊铭 ;

彭远清 ;

林颂恩 ;

郑农哲 ;

王俊尧 .

中国专利 :CN114038801A ,2022-02-11

[3]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

岩本正次 .

中国专利 :CN107204297A ,2017-09-26

[4]

半导体装置的形成方法 [P].

陈婷婷 ;

何彩蓉 ;

葛宗翰 ;

郑雅如 ;

彭辞修 ;

王振翰 ;

梁顺鑫 ;

上野哲嗣 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN114823515A ,2022-07-29

[5]

半导体装置的形成方法 [P].

周典霈 ;

郑宇彣 ;

林钰庭 ;

王俊杰 ;

张根育 ;

白岳青 .

中国专利 :CN109841562A ,2019-06-04

[6]

半导体装置的形成方法 [P].

马丁·克里斯多福·霍兰德 .

中国专利 :CN115084009A ,2022-09-20

[7]

半导体装置的形成方法 [P].

闵伟伦 ;

刘昌淼 .

中国专利 :CN112652579A ,2021-04-13

[8]

半导体装置的形成方法 [P].

李凯璿 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 ;

杨世海 .

中国专利 :CN110875189A ,2020-03-10

[9]

半导体装置及半导体形成方法 [P].

王中琪 ;

宋胜金 .

中国专利 :CN120376496A ,2025-07-25

[10]

半导体装置与形成半导体装置的方法 [P].

林志翰 ;

张哲诚 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN107026119B ,2017-08-08

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