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形成半导体装置的方法

被引：0
申请号：
CN202210152792.9
申请日：
2022-02-18
公开(公告)号：
CN115394633A
公开(公告)日：
2022-11-25
发明(设计)人：
张競予 陈哲明 李资良
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号：
H01L21027
IPC分类号：
H01L21033 H01L21768
代理机构：
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人：
徐金国
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-12-13 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20220218
2022-11-25 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体装置及形成半导体装置的方法 [P]. 
卢琳蓁 ;
辛格·古尔巴格 ;
蔡宗翰 ;
王柏仁 .
中国专利 :CN113206086A ,2021-08-03
[2]
半导体装置及形成半导体装置的方法 [P]. 
卢琳蓁 ;
辛格·古尔巴格 ;
蔡宗翰 ;
王柏仁 .
中国专利 :CN113206086B ,2025-10-21
[3]
形成半导体装置的方法 [P]. 
W－J·齐 ;
J·G·培勒因 ;
W·G·恩 ;
M·W·迈克尔 ;
D·A·陈 .
中国专利 :CN100367470C ,2005-04-13
[4]
形成半导体装置结构的方法 [P]. 
卢超群 .
中国专利 :CN120129299A ,2025-06-10
[5]
半导体装置的形成方法 [P]. 
蒋汝平 ;
谢荣源 ;
黄智超 .
中国专利 :CN103633031B ,2014-03-12
[6]
半导体装置及其形成的方法 [P]. 
何宜臻 ;
张怡婷 ;
谭伦光 ;
林千 .
中国专利 :CN114927475A ,2022-08-19
[7]
半导体装置与形成半导体装置的方法 [P]. 
林志翰 ;
张哲诚 ;
曾鸿辉 .
中国专利 :CN107026119B ,2017-08-08
[8]
形成半导体装置的方法和半导体装置 [P]. 
魏正禹 ;
林政颐 ;
陈书涵 ;
徐志安 .
中国专利 :CN121057241A ,2025-12-02
[9]
半导体装置及形成半导体装置的方法 [P]. 
林彦伯 ;
李威养 ;
彭远清 ;
林家彬 ;
郭俊铭 .
中国专利 :CN113314468A ,2021-08-27
[10]
半导体装置与形成半导体装置的方法 [P]. 
林志翰 ;
张哲诚 ;
曾鸿辉 .
中国专利 :CN107026194A ,2017-08-08
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