半导体装置和形成半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910991606.9

申请日：

2019-10-18

公开(公告)号：

CN111081713B

公开(公告)日：

2025-02-21

发明(设计)人：

李俊鲁

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H10B43/30

IPC分类号：

H10B43/27 H10D64/27

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

陈亚男;尹淑梅

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-21	授权	授权

共 50 条

[1]

形成半导体装置的方法和半导体装置 [P].

魏正禹 ;

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN121057241A ,2025-12-02

[2]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

黄郁翔 ;

刘致为 .

中国专利 :CN115527936A ,2022-12-27

[3]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

塔特·恩盖 ;

比施－银·恩古银 ;

维德亚·S·考什克 ;

詹姆斯·K·III·谢弗 .

中国专利 :CN1288755C ,2004-08-11

[4]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

赵南奎 ;

洪承秀 ;

成金重 ;

李承勳 ;

李正允 .

中国专利 :CN110277453A ,2019-09-24

[5]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

赵南奎 ;

洪承秀 ;

成金重 ;

李承勳 ;

李正允 .

韩国专利 :CN110277453B ,2024-07-12

[6]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

李俊鲁 .

中国专利 :CN111081713A ,2020-04-28

[7]

形成半导体装置的方法和半导体封装 [P].

陈又豪 ;

张丰愿 ;

黄博祥 ;

林璟伊 ;

李志纯 .

中国专利 :CN115440693A ,2022-12-06

[8]

半导体装置和用于形成半导体装置的方法 [P].

J·鲍姆加特尔 ;

C·格鲁贝尔 ;

A·豪格霍费尔 ;

R·K·乔希 ;

M·普埃尔兹 ;

J·施泰因布伦纳 .

中国专利 :CN106328709A ,2017-01-11

[9]

半导体装置和用于形成半导体装置的方法 [P].

M·豪博尔德 ;

H·菲克 ;

K·凯默 .

中国专利 :CN108467005A ,2018-08-31

[10]

形成半导体器件的方法和半导体装置 [P].

刘俊佑 ;

张晋豪 ;

杨固峰 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN120388883A ,2025-07-29

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