形成结晶半导体层的方法和装置及制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410055201.8

申请日：

2004-06-03

公开(公告)号：

CN100365763C

公开(公告)日：

2005-02-02

发明(设计)人：

山元良高西谷干彦平松雅人十文字正之木村嘉伸

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120 H01L21324 H01L2100 H01L21335 H01L2978

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101001913162 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2004100552018 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社液晶先端技术开发中心变更后权利人:夏普株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本大阪登记生效日:20100409
2005-02-02	公开	公开
2008-01-30	授权	授权
2006-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-07-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584054138 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2004100552018 申请日:20040603 授权公告日:20080130 终止日期:20130603

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

加藤树理 .

中国专利 :CN1893093A ,2007-01-10

[2]

半导体装置及形成半导体装置的方法 [P].

林彦伯 ;

李威养 ;

彭远清 ;

林家彬 ;

郭俊铭 .

中国专利 :CN113314468A ,2021-08-27

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

长谷川一也 ;

冈彻 ;

田中成明 .

中国专利 :CN104979407B ,2015-10-14

[4]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

安松拓人 .

中国专利 :CN101346810A ,2009-01-14

[5]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

西山雄士 ;

宫崎正行 ;

北村祥司 .

中国专利 :CN108292605A ,2018-07-17

[6]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

前田凉 .

中国专利 :CN109273519A ,2019-01-25

[7]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

渡部正和 ;

平林康弘 .

日本专利 :CN117581382A ,2024-02-20

[8]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

菅原健太 .

日本专利 :CN117637806A ,2024-03-01

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

野野田亮平 ;

惠良淳史 .

中国专利 :CN113348537A ,2021-09-03

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

大见忠弘 ;

杉谷耕一 .

中国专利 :CN101506985A ,2009-08-12

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