一种抑制碳化硅MOSFET串扰的有源钳位电路及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511338466.7

申请日：

2025-09-18

公开(公告)号：

CN120825029A

公开(公告)日：

2025-10-21

发明(设计)人：

程晓茹刘韬刘阳曹家振曹凯

申请人：

西安为光能源科技有限公司

申请人地址：

710000 陕西省西安市高新区上林苑一路15号光电子集成电路先导技术研究院南区五六号楼

IPC主分类号：

H02M1/088

IPC分类号：

H02M1/00 H02M1/32

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

从霄汉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H02M 1/088申请日:20250918
2025-10-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅MOSFET有源米勒钳位电路 [P].

郑高铭 ;

孙峰 ;

李欢 ;

胡雅婷 ;

刘京 ;

刘羽捷 .

中国专利 :CN222868908U ,2025-05-13

[2]

一种碳化硅MOSFET桥臂串扰抑制电路 [P].

毕闯 ;

欧宏 ;

赵亮 ;

徐云飞 ;

郝一 .

中国专利 :CN111614234A ,2020-09-01

[3]

一种抑制串扰的碳化硅MOSFET桥臂电路及设计方法 [P].

孔武斌 ;

涂钧耀 ;

刘恒阳 .

中国专利 :CN112147480A ,2020-12-29

[4]

一种抑制碳化硅MOSFET桥臂串扰的驱动电路 [P].

毕闯 .

中国专利 :CN120528414A ,2025-08-22

[5]

碳化硅MOSFET桥式电路的串扰抑制驱动电路及电源设备 [P].

唐建国 ;

秦惠 ;

赖垂庭 ;

龙斌 .

中国专利 :CN223625755U ,2025-12-02

[6]

一种碳化硅MOSFET的制备方法及碳化硅MOSFET [P].

牛喜平 ;

魏晓光 ;

汤广福 ;

安运来 ;

桑玲 ;

张文婷 ;

刘瑞 ;

杜泽晨 ;

李晨萌 ;

杨霏 .

中国专利 :CN117832088A ,2024-04-05

[7]

碳化硅MOSFET逆变电路及碳化硅MOSFET逆变电路的控制方法 [P].

内海诚 .

日本专利 :CN119278577A ,2025-01-07

[8]

一种碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

高田 ;

羊彦 ;

程泽 ;

庄培红 .

中国专利 :CN108683327A ,2018-10-19

[9]

基于dv/dt检测的抑制SiC MOSFET串扰的钳位有源驱动电路 [P].

李虹 ;

邱志东 ;

邵天骢 ;

李志君 ;

黄波 ;

张波 ;

郑琼林 .

中国专利 :CN112953174B ,2021-06-11

[10]

一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路及方法 [P].

兰欣 ;

刘祥龙 ;

王兴华 ;

朱士伟 ;

谢国芳 ;

吴平 ;

于功山 .

中国专利 :CN112787643A ,2021-05-11

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