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SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202180054023.9
申请日：
2021-07-27
公开(公告)号：
CN116057666B
公开(公告)日：
2025-10-17
发明(设计)人：
横川功
申请人：
信越半导体株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H10D86/60
IPC分类号：
H01L21/02
代理机构：
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人：
张晶;谢顺星
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-17 | 授权 | 授权 |