金属硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510253818.2

申请日：

2025-03-05

公开(公告)号：

CN120903508A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

角俊明西山津弓中村忠久

申请人：

本田技研工业株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01B33/023

IPC分类号：

C08G77/04

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

沈娥;褚瑶杨

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/023申请日:20250305

共 50 条

[1]

金属硅及多孔碳的制造方法 [P].

石川真二 ;

足立彻 ;

山下泰一郎 .

中国专利 :CN104411635A ,2015-03-11

[2]

金属硅化层的制造方法 [P].

陈意维 ;

洪宗佑 ;

江怡颖 ;

谢朝景 ;

张毓蓝 .

中国专利 :CN1787188A ,2006-06-14

[3]

金属硅化物的制造方法 [P].

郭振强 ;

樊颖涛 .

中国专利 :CN118471797A ,2024-08-09

[4]

金属硅的精制方法和硅块的制造方法 [P].

神山游马 ;

本田和义 ;

筱川泰治 ;

八木弘雅 ;

柳智文 ;

别所邦彦 .

中国专利 :CN101668701A ,2010-03-10

[5]

金属硅及其制备方法 [P].

续桥浩司 ;

池田洋 ;

柳町惇夫 ;

胁田三郎 .

中国专利 :CN101506097A ,2009-08-12

[6]

金属硅的凝固方法 [P].

山田素行 ;

畑山和久 .

中国专利 :CN101778795A ,2010-07-14

[7]

生产金属硅的方法 [P].

鞠远峰 .

中国专利 :CN1053640C ,1998-09-09

[8]

含锂金属硅的制备方法、含锂金属硅、含锂SiO及其应用 [P].

丁俊 ;

刘登华 ;

孙梦奇 ;

丁伟涛 .

中国专利 :CN114672713A ,2022-06-28

[9]

金属硅化物的制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121075913A ,2025-12-05

[10]

金属硅化物的制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121075915A ,2025-12-05

← 1 2 3 4 5 →