金属硅化层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410098357.4

申请日：

2004-12-08

公开(公告)号：

CN1787188A

公开(公告)日：

2006-06-14

发明(设计)人：

陈意维洪宗佑江怡颖谢朝景张毓蓝

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

H01L21283 H01L21321 H01L21314

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-06-14	公开	公开
2006-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-02	授权	授权

共 50 条

[1]

金属硅的制造方法 [P].

角俊明 ;

西山津弓 ;

中村忠久 .

日本专利 :CN120903508A ,2025-11-07

[2]

金属硅化物接触层的制造方法 [P].

杜珊珊 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN101459068A ,2009-06-17

[3]

金属硅化物层的制造方法 [P].

卢泽一 ;

简志明 ;

姚立人 .

中国专利 :CN103377900A ,2013-10-30

[4]

具有完全金属硅化层栅极的器件及其制造方法 [P].

时磊 ;

吴健 ;

许曙明 ;

郑毅 .

中国专利 :CN112652665A ,2021-04-13

[5]

在多晶硅层表面上的高熔点金属硅化物层的制造方法 [P].

白寿铉 ;

崔珍奭 .

中国专利 :CN1076866C ,1996-05-01

[6]

金属硅的精制方法和硅块的制造方法 [P].

神山游马 ;

本田和义 ;

筱川泰治 ;

八木弘雅 ;

柳智文 ;

别所邦彦 .

中国专利 :CN101668701A ,2010-03-10

[7]

金属硅及多孔碳的制造方法 [P].

石川真二 ;

足立彻 ;

山下泰一郎 .

中国专利 :CN104411635A ,2015-03-11

[8]

完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法 [P].

丁煜明 ;

王志豪 .

中国专利 :CN101093816A ,2007-12-26

[9]

金属硅化层的湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置 [P].

厉鸣夏 ;

徐兴国 ;

张凌越 ;

姜波 ;

张言成 .

中国专利 :CN113921393A ,2022-01-11

[10]

金属硅化层的湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置 [P].

厉鸣夏 ;

徐兴国 ;

张凌越 ;

姜波 ;

张言成 .

中国专利 :CN113921393B ,2025-06-06

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