一种基于解析模型的晶体管老化应力计算方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310843291.X

申请日：

2023-07-11

公开(公告)号：

CN116882346B

公开(公告)日：

2025-11-14

发明(设计)人：

王润声张作栋林亦波黄如

申请人：

无锡北京大学电子设计自动化研究院

申请人地址：

214111 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座A栋5、6层

IPC主分类号：

G06F30/367

IPC分类号：

G06F119/04 G06F119/14

代理机构：

上海兰迪律师事务所 31375

代理人：

张莉

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

基于铁电晶体管FeFET的卷积计算方法 [P].

黄如 ;

刘姝涵 ;

黄芊芊 .

中国专利 :CN111898329A ,2020-11-06

[2]

提取MOS晶体管应力效应模型参数的方法 [P].

周天舒 .

中国专利 :CN101739469A ,2010-06-16

[3]

用于增加基于应力的老化补偿精度的晶体管老化监测电路以及相关的方法 [P].

A·高仕 ;

J·帕克特 ;

I·图勒特布 .

美国专利 :CN117980754A ,2024-05-03

[4]

一种基于分离栅闪存晶体管的多输入计算单元及其计算方法 [P].

蔡一茂 ;

鲍霖 ;

王宗巍 ;

杨韵帆 ;

黄如 .

中国专利 :CN114791796A ,2022-07-26

[5]

一种基于分离栅闪存晶体管的多输入计算单元及其计算方法 [P].

蔡一茂 ;

鲍霖 ;

王宗巍 ;

杨韵帆 ;

黄如 .

中国专利 :CN114791796B ,2025-12-19

[6]

基于LTspice模型的记忆晶体管实现方法 [P].

许碧荣 ;

张志鹏 ;

陈锦智 ;

赵薇 ;

刘浩宇 ;

尹柯琪 .

中国专利 :CN114580331A ,2022-06-03

[7]

一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法 [P].

王大朋 ;

赵志勇 ;

曾武 ;

穆学禄 ;

宗柏青 ;

崔亦军 .

中国专利 :CN103887339A ,2014-06-25

[8]

一种晶体管的制备方法及晶体管 [P].

杨冠华 ;

廖福锡 ;

李泠 .

中国专利 :CN117727632A ,2024-03-19

[9]

多指状晶体管的电阻计算方法及多指状晶体管的仿真方法 [P].

何丹 .

中国专利 :CN106874528A ,2017-06-20

[10]

石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法 [P].

汪令飞 ;

王伟 ;

徐光伟 ;

李泠 ;

刘明 ;

卢年端 .

中国专利 :CN105224717A ,2016-01-06

← 1 2 3 4 5 →