一种基于分离栅闪存晶体管的多输入计算单元及其计算方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210526306.5

申请日：

2022-05-16

公开(公告)号：

CN114791796B

公开(公告)日：

2025-12-19

发明(设计)人：

蔡一茂鲍霖王宗巍杨韵帆黄如

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

G06F7/53

IPC分类号：

G06F17/16 G11C11/40 G11C16/04

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

贾晓玲

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于分离栅闪存晶体管的多输入计算单元及其计算方法 [P].

蔡一茂 ;

鲍霖 ;

王宗巍 ;

杨韵帆 ;

黄如 .

中国专利 :CN114791796A ,2022-07-26

[2]

一种基于分离栅闪存的平方欧氏距离计算方法 [P].

蔡一茂 ;

冀映彤 ;

王宗巍 ;

张海粟 ;

鲍霖 ;

黄如 .

中国专利 :CN119807588A ,2025-04-11

[3]

一种基于分离栅闪存的平方欧氏距离计算方法 [P].

蔡一茂 ;

冀映彤 ;

王宗巍 ;

张海粟 ;

鲍霖 ;

黄如 .

中国专利 :CN119807588B ,2025-07-11

[4]

基于铁电晶体管FeFET的卷积计算方法 [P].

黄如 ;

刘姝涵 ;

黄芊芊 .

中国专利 :CN111898329A ,2020-11-06

[5]

一种基于解析模型的晶体管老化应力计算方法 [P].

王润声 ;

张作栋 ;

林亦波 ;

黄如 .

中国专利 :CN116882346B ,2025-11-14

[6]

一种基于垂直双栅晶体管的存取单元及其制备方法 [P].

杨冠华 ;

廖福锡 ;

李泠 .

中国专利 :CN117715418A ,2024-03-15

[7]

一种基于铁电晶体管的存储阵列系统及其卷积计算方法 [P].

曹续 ;

陈相银 ;

窦丙飞 ;

孙金中 .

中国专利 :CN117831584A ,2024-04-05

[8]

鳍式晶体管版图参数抽取计算方法及其抽取计算系统 [P].

赵梓夷 ;

杨婷 .

中国专利 :CN111008511A ,2020-04-14

[9]

一种基于浮栅晶体管的模拟退火计算器 [P].

邹旭 ;

王一鸣 ;

王凯 .

中国专利 :CN119514706A ,2025-02-25

[10]

一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法 [P].

丁士进 ;

崔兴美 ;

陈笋 ;

王鹏飞 ;

张卫 .

中国专利 :CN102593065B ,2012-07-18

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