半导体设备及操作半导体设备的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411365900.6

申请日：

2024-09-29

公开(公告)号：

CN120877820A

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

郑景润

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C16/12

IPC分类号：

G11C16/24 G11C16/34

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

张晶;郑少昌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	公开	公开
2025-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 16/12申请日:20240929

共 50 条

[1]

半导体设备和操作半导体设备的方法 [P].

权敏圭 ;

吴亨锡 ;

金铉秀 ;

郑太真 ;

赵大雄 .

中国专利 :CN110875618A ,2020-03-10

[2]

半导体设备和操作半导体设备的方法 [P].

权敏圭 ;

吴亨锡 ;

金铉秀 ;

郑太真 ;

赵大雄 .

韩国专利 :CN110875618B ,2024-09-06

[3]

半导体设备、半导体电路及制造半导体设备的方法 [P].

中野隆 ;

远矢弘和 .

中国专利 :CN1659716B ,2005-08-24

[4]

半导体设备 [P].

伊贺上太 .

中国专利 :CN110033803A ,2019-07-19

[5]

半导体设备 [P].

伊贺上太 .

日本专利 :CN110033803B ,2024-07-09

[6]

半导体设备 [P].

横山佳巧 ;

桥爪毅 ;

佐野聪明 .

中国专利 :CN108806743A ,2018-11-13

[7]

半导体装置及半导体装置的操作方法 [P].

朴钟庆 ;

徐智贤 ;

许惠银 .

韩国专利 :CN112071350B ,2024-01-05

[8]

半导体装置及半导体装置的操作方法 [P].

朴钟庆 ;

徐智贤 ;

许惠银 .

中国专利 :CN112071350A ,2020-12-11

[9]

制造半导体设备的方法以及半导体设备 [P].

齐藤朋也 ;

松原谦 .

日本专利 :CN120833833A ,2025-10-24

[10]

半导体设备和半导体设备的制造方法 [P].

郑盛旭 .

韩国专利 :CN119255610A ,2025-01-03

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