制造半导体设备的方法以及半导体设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510427398.5

申请日：

2025-04-07

公开(公告)号：

CN120833833A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

齐藤朋也松原谦

申请人：

瑞萨电子株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G11C17/08

IPC分类号：

G11C17/02 G11C29/56

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

张宁;段丹辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体设备以及半导体设备的制造方法 [P].

古屋敷纯也 ;

吉川则之 ;

福田敏行 ;

丝冈敏昌 ;

宇辰博喜 .

中国专利 :CN101960608A ,2011-01-26

[2]

用于制造半导体设备的方法以及半导体设备 [P].

武震宇 ;

J·申德勒 ;

T·克拉默 .

中国专利 :CN110911356A ,2020-03-24

[3]

半导体设备、装备以及半导体设备的制造方法 [P].

原拓也 ;

荻野拓海 .

中国专利 :CN115602650A ,2023-01-13

[4]

半导体设备以及用于制造半导体设备的方法 [P].

A·马丁内斯-利米亚 ;

K·埃耶斯 ;

W·法伊勒 ;

S·施魏格尔 ;

J-H·阿尔斯迈尔 .

德国专利 :CN114402438B ,2025-08-29

[5]

半导体设备和半导体设备的制造方法 [P].

郑盛旭 .

韩国专利 :CN119255610A ,2025-01-03

[6]

半导体封装、半导体设备以及半导体封装的制造方法 [P].

名取太知 ;

守屋雄介 ;

前田兼作 .

日本专利 :CN117897816A ,2024-04-16

[7]

接合结构、半导体设备以及制造半导体设备的方法 [P].

尹英洙 ;

朴晸焕 .

韩国专利 :CN119108364A ,2024-12-10

[8]

半导体设备、半导体设备的制造方法以及电子设备 [P].

胁山悟 ;

尾崎裕司 .

中国专利 :CN102956603A ,2013-03-06

[9]

半导体设备、半导体电路及制造半导体设备的方法 [P].

中野隆 ;

远矢弘和 .

中国专利 :CN1659716B ,2005-08-24

[10]

制造半导体设备的方法以及对应的半导体设备 [P].

M·阿莱西 ;

D·维特洛 .

:CN120565419A ,2025-08-29

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