一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110836964.X
申请日
2021-07-23
公开(公告)号
CN113410217B
公开(公告)日
2025-10-17
发明(设计)人
彭虎 杜睿 卢烁今
申请人
苏州华太电子技术股份有限公司
申请人地址
215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
IPC主分类号
H01L25/07
IPC分类号
H10D30/60 H01L21/50
代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
艾中兰;王锋
法律状态
授权
国省代码
江苏省 苏州市
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件 [P]. 
彭虎 ;
杜睿 ;
卢烁今 .
中国专利 :CN215418167U ,2022-01-04
[2]
一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件 [P]. 
彭虎 ;
杜睿 ;
卢烁今 .
中国专利 :CN113410217A ,2021-09-17
[3]
一种双管芯合封的共源共栅GaN功率器件 [P]. 
彭虎 ;
杜睿 ;
卢烁今 .
中国专利 :CN216084887U ,2022-03-18
[4]
检测来自共源共栅功率器件的信号 [P]. 
R·J·莫耶尔 .
美国专利 :CN118523586A ,2024-08-20
[5]
共源共栅功率器件及其电流检测方法 [P]. 
吴俊峰 ;
闫韶华 ;
刘庆波 ;
黎子兰 .
中国专利 :CN120897500A ,2025-11-04
[6]
双源双栅共漏功率器件 [P]. 
吴纬国 .
中国专利 :CN2924793Y ,2007-07-18
[7]
共源共栅级联功率器件、开关电路及功率器件的驱动方法 [P]. 
邓厚超 ;
李俊锴 ;
李琪 .
中国专利 :CN120710487A ,2025-09-26
[8]
共源共栅级联功率器件、开关电路及功率器件的驱动方法 [P]. 
邓厚超 ;
李俊锴 ;
李琪 .
中国专利 :CN120710487B ,2025-11-14
[9]
一种共源共栅型HEMT功率器件及其制备方法、芯片 [P]. 
刘浩文 ;
黄汇钦 .
中国专利 :CN116314313B ,2025-10-10
[10]
一种共源共栅GaN器件及其制备方法 [P]. 
华海鑫 ;
田茂康 ;
任永硕 ;
王荣华 ;
梁辉南 .
中国专利 :CN120936088A ,2025-11-11