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共源共栅功率器件及其电流检测方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511148570.X
申请日：
2025-08-15
公开(公告)号：
CN120897500A
公开(公告)日：
2025-11-04
发明(设计)人：
吴俊峰 闫韶华 刘庆波 黎子兰
申请人：
广东致能半导体有限公司
申请人地址：
518100 广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区宝兴路6号海纳百川总部大厦A座3层
IPC主分类号：
H10D84/82
IPC分类号：
H10D84/80 H01L23/64 G01R19/00
代理机构：
北京威禾知识产权代理有限公司 11838
代理人：
郭丽祥
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 公开 公开
2025-11-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/82申请日:20250815
共 50 条
[1]
检测来自共源共栅功率器件的信号 [P]. 
R·J·莫耶尔 .
美国专利 :CN118523586A ,2024-08-20
[2]
共源共栅级联功率器件、开关电路及功率器件的驱动方法 [P]. 
邓厚超 ;
李俊锴 ;
李琪 .
中国专利 :CN120710487A ,2025-09-26
[3]
共源共栅级联功率器件、开关电路及功率器件的驱动方法 [P]. 
邓厚超 ;
李俊锴 ;
李琪 .
中国专利 :CN120710487B ,2025-11-14
[4]
共源共栅级联型高压大电流氮化镓功率器件及其制造方法 [P]. 
王祥 ;
章国豪 .
中国专利 :CN119812139A ,2025-04-11
[5]
共源共栅半导体器件 [P]. 
陈敬 ;
舒稷 .
中国专利 :CN119814014A ,2025-04-11
[6]
双源双栅共漏功率器件 [P]. 
吴纬国 .
中国专利 :CN2924793Y ,2007-07-18
[7]
共源共栅GaN功率器件及其半桥应用电路 [P]. 
杜睿 ;
彭虎 ;
卢烁今 .
中国专利 :CN113054962A ,2021-06-29
[8]
共源共栅GaN功率器件及其半桥应用电路 [P]. 
杜睿 ;
彭虎 ;
卢烁今 .
中国专利 :CN113054962B ,2024-03-19
[9]
一种共源共栅型HEMT功率器件及其制备方法、芯片 [P]. 
刘浩文 ;
黄汇钦 .
中国专利 :CN116314313B ,2025-10-10
[10]
共源型功率器件及其制作方法 [P]. 
毛维 ;
杨翠 ;
裴晨 ;
杜鸣 ;
马佩军 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114944387A ,2022-08-26
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