一种氮化铝单晶材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411207106.9

申请日：

2024-08-30

公开(公告)号：

CN119082850B

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

冯家伟施纯锡

申请人：

福建华清电子材料科技有限公司

申请人地址：

362200 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/40 C01B21/072

代理机构：

泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209

代理人：

林小彬

法律状态：

公开

国省代码：

福建省泉州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	公开	公开
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 23/00申请日:20240830
2025-11-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氮化铝单晶材料的制备方法 [P].

冯家伟 ;

施纯锡 .

中国专利 :CN119082850A ,2024-12-06

[2]

氮化铝单晶材料制备方法 [P].

杨少延 ;

魏鸿源 ;

焦春美 ;

刘祥林 .

中国专利 :CN102828251A ,2012-12-19

[3]

单晶氮化铝材料及其制备方法 [P].

王新强 ;

袁冶 ;

刘上锋 ;

康俊杰 ;

罗巍 ;

李泰 ;

曹家康 .

中国专利 :CN117488408A ,2024-02-02

[4]

单晶氮化铝材料及其制备方法 [P].

王新强 ;

袁冶 ;

刘上锋 ;

康俊杰 ;

罗巍 ;

李泰 ;

曹家康 .

中国专利 :CN117488408B ,2024-05-10

[5]

氮化铝单晶的制备方法和制备氮化铝单晶的装置 [P].

武红磊 ;

钟旭辉 ;

覃佐燕 .

中国专利 :CN109371467A ,2019-02-22

[6]

一种氮化铝单晶薄膜的制备方法 [P].

陈贵锋 ;

谢路肖 ;

张辉 ;

张银 ;

解新建 ;

刘国栋 .

中国专利 :CN110219050B ,2019-09-10

[7]

一种氮化铝单晶薄膜的制备方法 [P].

卢红亮 ;

张远 ;

丁士进 ;

张卫 .

中国专利 :CN106504980A ,2017-03-15

[8]

一种制备氮化铝单晶的方法 [P].

吴亮 ;

贺广东 ;

王智昊 ;

王琦琨 ;

龚加玮 ;

雷丹 ;

黄嘉丽 ;

黄毅 .

中国专利 :CN108624957A ,2018-10-09

[9]

氮化铝单晶的制造装置、氮化铝单晶的制造方法及氮化铝单晶 [P].

加藤智久 ;

长井一郎 ;

三浦知则 ;

鎌田弘之 .

中国专利 :CN102405310B ,2012-04-04

[10]

氮化铝单晶衬底的制备方法 [P].

王增华 ;

程红娟 ;

王英民 ;

张弛 ;

张丽 ;

高飞 ;

张颖 .

中国专利 :CN120119323A ,2025-06-10

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