半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411173563.0

申请日：

2024-08-26

公开(公告)号：

CN120998919A

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

樱井康智堀江裕铃木修吾伊见仁小山将央

申请人：

株式会社东芝东芝电子元件及存储装置株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L25/16

IPC分类号：

H10N97/00 H02M7/00 H02M3/00 H02M3/158 H02M1/44

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

刘英华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	公开	公开
2025-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 25/16申请日:20240826

共 50 条

[1]

半导体装置结构及半导体装置 [P].

伊藤弘造 ;

川本和弘 .

中国专利 :CN101257021A ,2008-09-03

[2]

半导体装置 [P].

杨世怜 ;

李全一 ;

金彩姈 ;

李瑞河 .

韩国专利 :CN120434992A ,2025-08-05

[3]

半导体装置 [P].

小幡进 ;

樋口和人 ;

佐野光雄 ;

田岛尚之 .

中国专利 :CN115117028A ,2022-09-27

[4]

半导体装置 [P].

安惠利 ;

朴桐湜 ;

申树浩 ;

朴晙晳 ;

朴建熹 ;

李佳垠 ;

张志熏 ;

曹裕珍 ;

曹河娜 .

韩国专利 :CN118173542A ,2024-06-11

[5]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

村田昭浩 .

中国专利 :CN1518094A ,2004-08-04

[6]

半导体衬底和半导体装置 [P].

J·埃施 .

德国专利 :CN112053994B ,2025-02-07

[7]

半导体衬底和半导体装置 [P].

J·埃施 .

中国专利 :CN112053994A ,2020-12-08

[8]

半导体装置 [P].

西原信 .

日本专利 :CN117936482A ,2024-04-26

[9]

半导体装置 [P].

斋藤鲇彦 .

日本专利 :CN115398611B ,2025-11-21

[10]

半导体装置 [P].

宫本升 ;

角田义一 .

中国专利 :CN103311191B ,2013-09-18

← 1 2 3 4 5 →