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半导体装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202180027917.9
申请日
:
2021-09-07
公开(公告)号
:
CN115398611B
公开(公告)日
:
2025-11-21
发明(设计)人
:
斋藤鲇彦
申请人
:
住友电工光电子器件创新株式会社
申请人地址
:
日本神奈川县横滨市
IPC主分类号
:
H01L21/60
IPC分类号
:
代理机构
:
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
:
吕琳;朴秀玉
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-11-21
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体装置
[P].
斋藤鲇彦
论文数:
0
引用数:
0
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0
斋藤鲇彦
.
中国专利
:CN115398611A
,2022-11-25
[2]
半导体装置
[P].
西原信
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
住友电工光电子器件创新株式会社
住友电工光电子器件创新株式会社
西原信
.
日本专利
:CN117936482A
,2024-04-26
[3]
半导体装置
[P].
佐佐木善伸
论文数:
0
引用数:
0
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0
佐佐木善伸
.
中国专利
:CN110521114A
,2019-11-29
[4]
半导体装置
[P].
山崎舜平
论文数:
0
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0
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0
山崎舜平
;
三宅博之
论文数:
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三宅博之
;
宍户英明
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宍户英明
;
小山润
论文数:
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小山润
.
中国专利
:CN111477634A
,2020-07-31
[5]
半导体装置
[P].
小幡进
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0
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0
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小幡进
;
樋口和人
论文数:
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樋口和人
;
佐野光雄
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佐野光雄
;
田岛尚之
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田岛尚之
.
中国专利
:CN115117028A
,2022-09-27
[6]
半导体装置
[P].
山崎舜平
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
;
大贯达也
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
大贯达也
;
国武宽司
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
国武宽司
;
方堂凉太
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
方堂凉太
.
日本专利
:CN118872401A
,2024-10-29
[7]
半导体装置
[P].
山崎舜平
论文数:
0
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山崎舜平
;
三宅博之
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三宅博之
;
宍户英明
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宍户英明
;
小山润
论文数:
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小山润
.
中国专利
:CN104620390A
,2015-05-13
[8]
半导体装置制造方法及其半导体装置
[P].
矢野尚
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矢野尚
;
林慎一郎
论文数:
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林慎一郎
.
中国专利
:CN1638060A
,2005-07-13
[9]
半导体装置、半导体装置的制造方法
[P].
户塚正裕
论文数:
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户塚正裕
.
中国专利
:CN103972210A
,2014-08-06
[10]
半导体装置结构及半导体装置
[P].
伊藤弘造
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伊藤弘造
;
川本和弘
论文数:
0
引用数:
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川本和弘
.
中国专利
:CN101257021A
,2008-09-03
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