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金属酸化物半導体コンデンサ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20250522700
申请日
:
2023-10-18
公开(公告)号
:
JP2025536952A
公开(公告)日
:
2025-11-12
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01G4/33
IPC分类号
:
H01C7/00
H01C13/00
H01G2/06
H01G4/30
H01G4/40
H10D1/47
H10D1/68
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
金属酸化物半導体コンデンサおよび埋め込まれた金属酸化物半導体コンデンサを含む回路基板[ja]
[P].
日本专利
:JP2024517103A
,2024-04-19
[2]
金属酸化物半導体ガスセンサ[ja]
[P].
日本专利
:JP6257106B2
,2018-01-10
[3]
金属酸化物半導体式ガスセンサ[ja]
[P].
日本专利
:JP6128598B2
,2017-05-17
[4]
ガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010024387A1
,2012-01-26
[5]
酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP6665536B2
,2020-03-13
[6]
酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP6562321B2
,2019-08-21
[7]
酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017069022A1
,2018-07-19
[8]
金属酸化物pHセンサ[ja]
[P].
日本专利
:JP2017526922A
,2017-09-14
[9]
金属酸化物pHセンサ[ja]
[P].
日本专利
:JP6682506B2
,2020-04-15
[10]
コンデンサ陽極体、固体電解コンデンサ素子、固体電解コンデンサおよびコンデンサ陽極体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5851667B1
,2016-02-03
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