半导体晶片磨削装置和磨削方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202480016082.0
申请日
2024-02-26
公开(公告)号
CN120883328A
公开(公告)日
2025-10-31
发明(设计)人
津留太良
申请人
株式会社东京精密
申请人地址
日本国东京都八王子市石川町2968-2
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
B24B1/04 B24B9/00
代理机构
北京高沃律师事务所 11569
代理人
谷朋伦
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
磨削半导体晶片的方法 [P]. 
维滕策尔那·艾尔玛 ;
关家宪一 .
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[3]
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郑向光 ;
崔景光 ;
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[6]
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[8]
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[9]
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[10]
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阿部公亮 ;
柳泰燮 ;
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