一种大尺寸碳化硅单晶的生长装置及碳化硅单晶制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510933931.5

申请日：

2025-07-08

公开(公告)号：

CN120425457B

公开(公告)日：

2025-10-21

发明(设计)人：

高冰王博

申请人：

浙江晶越半导体有限公司

申请人地址：

312400 浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B23/00

代理机构：

浙江金杜智源知识产权代理有限公司 33511

代理人：

葛天祥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省绍兴市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20250708
2025-08-05	公开	公开
2025-10-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种大尺寸碳化硅单晶的生长装置及碳化硅单晶制备方法 [P].

高冰 ;

王博 .

中国专利 :CN120425457A ,2025-08-05

[2]

一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法 [P].

康俊勇 ;

尹君 ;

檀鹏 ;

康闻宇 .

中国专利 :CN114411254B ,2024-11-12

[3]

一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法 [P].

康俊勇 ;

尹君 ;

檀鹏 ;

康闻宇 .

中国专利 :CN114411254A ,2022-04-29

[4]

碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN110331437B ,2019-10-15

[5]

碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN110359087B ,2019-10-22

[6]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109629001A ,2019-04-16

[7]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109576792A ,2019-04-05

[8]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶的制造方法 [P].

池田均 ;

松本雄一 ;

高桥亨 .

中国专利 :CN112313369B ,2021-02-02

[9]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109629000A ,2019-04-16

[10]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶生长方法 [P].

王海涛 ;

乔帅帅 .

中国专利 :CN120384329A ,2025-07-29

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