一种大面积等离子体产生装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310015631.X

申请日：

2023-01-06

公开(公告)号：

CN116113131B

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

王红霞刘同波

申请人：

遨天科技（北京）有限公司

申请人地址：

100085 北京市海淀区上地信息路12号1幢2层E207室

IPC主分类号：

H05H1/24

IPC分类号：

代理机构：

工业和信息化部电子专利中心 11010

代理人：

袁鸿

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权
2024-05-28	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H05H 1/24变更事项:发明人变更前:王红霞刘同波谢侃变更后:王红霞刘同波

共 50 条

[1]

一种大面积低温等离子体活化水雾产生装置 [P].

赵政 ;

李江涛 ;

梅家葆 ;

戴志锋 .

中国专利 :CN113630949A ,2021-11-09

[2]

一种大面积低温等离子体活化水雾产生装置 [P].

赵政 ;

李江涛 ;

梅家葆 ;

戴志锋 .

中国专利 :CN113630949B ,2024-08-16

[3]

一种大面积低温等离子体活化水雾产生装置 [P].

赵政 ;

李江涛 ;

梅家葆 ;

戴志锋 .

中国专利 :CN215499699U ,2022-01-11

[4]

一种大面积大气压等离子体射流产生装置 [P].

欧阳吉庭 ;

朱平 ;

孟昭忠 ;

胡海欣 .

中国专利 :CN106714435A ,2017-05-24

[5]

一种大面积低温等离子体发生装置 [P].

方志 ;

张波 .

中国专利 :CN106028615A ,2016-10-12

[6]

一种高密度大面积等离子体片产生装置 [P].

程芝峰 ;

徐跃民 ;

孙海龙 ;

吴逢时 ;

丁亮 ;

王之江 ;

孙简 .

中国专利 :CN201336769Y ,2009-10-28

[7]

大面积等离子体源 [P].

韦恩·L·约翰逊 .

中国专利 :CN1334885A ,2002-02-06

[8]

一种产生大面积等离子体的辉光放电装置 [P].

雷凡 ;

吴红志 ;

张朝阳 .

中国专利 :CN223261691U ,2025-08-22

[9]

一种用于产生大面积均匀等离子体的SDBD改性装置 [P].

祝曦 ;

李方松 ;

管秀晗 ;

方志 .

中国专利 :CN114423138A ,2022-04-29

[10]

一种产生大面积稳定可控等离子体的装置和方法 [P].

范伟丽 ;

刘倩 ;

刘怡宁 .

中国专利 :CN111432543A ,2020-07-17

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