大面积等离子体源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99815305.2

申请日：

1999-12-10

公开(公告)号：

CN1334885A

公开(公告)日：

2002-02-06

发明(设计)人：

韦恩·L·约翰逊

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1600

IPC分类号：

H01L2126 H01L2142

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

易咏梅

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101190112170 IPC(主分类):C23C 16/00 专利号:ZL998153052 申请日:19991210 授权公告日:20040707 终止日期:20101210
2002-02-06	公开	公开
2004-07-07	授权	授权
2002-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

用于等离子体应用的大面积ICP源 [P].

Y·K·赵 ;

T·布鲁克 ;

K·贾纳吉拉曼 .

中国专利 :CN102789950A ,2012-11-21

[2]

大面积并联高密度感应耦合等离子体源 [P].

辛煜 ;

宁兆元 .

中国专利 :CN2907173Y ,2007-05-30

[3]

用于大面积等离子体加工的装置 [P].

P·吉特蒂埃尼 .

中国专利 :CN102318034B ,2012-01-11

[4]

大面积大气等离子体均匀放电电极 [P].

王波 ;

金会良 ;

姚英学 ;

李娜 ;

车琳 ;

辛强 ;

金江 ;

李铎 .

中国专利 :CN103269556A ,2013-08-28

[5]

大面积彩色交流等离子体显示板 [P].

罗伯特·G·马考特 .

中国专利 :CN1120464C ,2000-11-29

[6]

一种大面积氧化物阴极等离子体源阴极 [P].

李冰妍 .

中国专利 :CN215991311U ,2022-03-08

[7]

利用等离子体处理大面积衬底基片的系统 [P].

陈聪 .

中国专利 :CN1192788A ,1998-09-09

[8]

大面积等离子体处理装置与均匀等离子体生成方法 [P].

陈家富 ;

河合良信 ;

黄思伦 ;

邱国峰 ;

施仁斌 ;

蔡有哲 ;

连丁贵 .

中国专利 :CN104409309B ,2015-03-11

[9]

大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置 [P].

雷明凯 ;

郭甲 ;

高峰 ;

袁力江 ;

张仲麟 .

中国专利 :CN101045989B ,2007-10-03

[10]

一种大面积等离子体产生装置 [P].

王红霞 ;

刘同波 .

中国专利 :CN116113131B ,2025-11-04

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