具有高续流能力的SIC MOSFET器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202423106302.5

申请日：

2024-12-17

公开(公告)号：

CN223584622U

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

王坤杨程王正万胜堂马驰远朱秀梅王毅

申请人：

扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：

225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D64/64 H10D62/10

代理机构：

扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283

代理人：

郭翔

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省扬州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

降低续流损耗的SiC器件 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

万胜堂 ;

王坤 ;

王毅 .

中国专利 :CN223310189U ,2025-09-05

[2]

一种提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件及制备方法 [P].

朱秀梅 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN119133234A ,2024-12-13

[3]

一种集成反向续流二极管的沟槽SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱秀梅 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN119325249A ,2025-01-17

[4]

一种具有双辅助栅的SiC MOSFET器件 [P].

陈伟中 ;

陈泽生 ;

邓志杰 ;

肖宇凡 ;

周扬淇 .

中国专利 :CN119997562B ,2025-11-21

[5]

一种具有双辅助栅的SiC MOSFET器件 [P].

陈伟中 ;

陈泽生 ;

邓志杰 ;

肖宇凡 ;

周扬淇 .

中国专利 :CN119997562A ,2025-05-13

[6]

具有SJ结构的SiC MOSFET器件 [P].

覃源 ;

高盼盼 .

中国专利 :CN222126535U ,2024-12-06

[7]

降低续流损耗的SiC UMOSFET [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222721867U ,2025-04-04

[8]

一种具有双续流通道的SiC MOSFET及制备方法 [P].

张婷 .

中国专利 :CN117438466A ,2024-01-23

[9]

快速关断的SiC MOSFET器件 [P].

覃源 ;

高盼盼 .

中国专利 :CN220796753U ,2024-04-16

[10]

一种沟槽SiC MOSFET器件 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

王毅 .

中国专利 :CN222967308U ,2025-06-10

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