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一种半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510926488.9
申请日：
2025-07-07
公开(公告)号：
CN120897446A
公开(公告)日：
2025-11-04
发明(设计)人：
裴俊植
申请人：
成都高真科技有限公司
申请人地址：
610000 四川省成都市高新区科新路8号附19号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人：
谷波
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 公开 公开
2025-11-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20250707
共 50 条
[1]
半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备 [P]. 
梁时元 ;
贺晓彬 ;
刘金彪 ;
杨涛 ;
李亭亭 .
中国专利 :CN114628253A ,2022-06-14
[2]
半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备 [P]. 
张铉瑀 ;
许民 ;
吴容哲 ;
杨涛 ;
李俊峰 ;
王文武 .
中国专利 :CN113903739A ,2022-01-07
[3]
半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备 [P]. 
尹炅一 ;
吴容哲 ;
高建峰 ;
白国斌 ;
李俊杰 ;
刘卫兵 .
中国专利 :CN111883532A ,2020-11-03
[4]
半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备 [P]. 
张铉瑀 ;
许民 ;
吴容哲 ;
杨涛 ;
高建峰 ;
李俊峰 ;
殷华湘 .
中国专利 :CN111900165A ,2020-11-06
[5]
半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备 [P]. 
尹炅一 ;
吴容哲 ;
高建峰 ;
白国斌 ;
李俊杰 ;
刘卫兵 .
中国专利 :CN111883532B ,2024-04-05
[6]
半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备 [P]. 
许民 ;
张铉瑀 ;
吴容哲 ;
姜东勋 ;
高建峰 ;
张月 ;
杨涛 ;
李俊峰 ;
王文武 .
中国专利 :CN113838851A ,2021-12-24
[7]
半导体结构及其制作方法、半导体器件及电子设备 [P]. 
甘维卓 ;
侯朝昭 ;
张强 ;
许俊豪 .
中国专利 :CN120076369A ,2025-05-30
[8]
半导体结构及其制作方法、存储阵列、存储器及电子设备 [P]. 
林琪 ;
方亦陈 ;
卜思童 ;
范人士 ;
刘晓阳 ;
詹士杰 ;
许俊豪 .
中国专利 :CN119907232A ,2025-04-29
[9]
半导体结构、电子设备及半导体结构制作方法 [P]. 
张城龙 .
中国专利 :CN118231463A ,2024-06-21
[10]
半导体结构及制作方法、存储器及制作方法、电子设备 [P]. 
曾明 ;
孟敬恒 .
中国专利 :CN119275175A ,2025-01-07
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