一种肖特基二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210857220.0

申请日：

2022-07-20

公开(公告)号：

CN115295632B

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

郑大伟陆磊张盛东王云萍严建花蔡泽宇

申请人：

北京大学深圳研究生院

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽街道深圳大学城北大园区H栋208室

IPC主分类号：

H10D8/60

IPC分类号：

H10D64/64 H10D62/10 H10D8/01

代理机构：

深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281

代理人：

郭燕;彭家恩

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权

共 50 条

[1]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

裴轶 ;

裴晓延 .

中国专利 :CN108493257A ,2018-09-04

[2]

一种肖特基二极管及其制造方法 [P].

郑大伟 ;

陆磊 ;

张盛东 ;

王云萍 ;

严建花 ;

蔡泽宇 .

中国专利 :CN115274864B ,2025-11-04

[3]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

林裕承 ;

姜兑咏 ;

庆信秀 .

中国专利 :CN113853685A ,2021-12-28

[4]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

林裕承 ;

姜兑咏 ;

庆信秀 .

韩国专利 :CN113853685B ,2025-06-03

[5]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

胡春华 ;

刘长洪 ;

范守善 .

中国专利 :CN102903849B ,2013-01-30

[6]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

孙海定 ;

张佳豪 .

中国专利 :CN117457725A ,2024-01-26

[7]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

贺致远 ;

徐华伟 ;

黄庆礼 ;

黄林轶 .

中国专利 :CN104617160A ,2015-05-13

[8]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

赵自然 ;

胡海帆 ;

马旭明 ;

肖雄 .

中国专利 :CN111933743A ,2020-11-13

[9]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

马克·杜斯金 ;

布兰卡·克鲁斯 .

中国专利 :CN100594590C ,2006-10-04

[10]

肖特基二极管及其制造方法 [P].

蒲贤勇 ;

程勇 ;

杨广立 ;

马千成 .

中国专利 :CN103456773B ,2016-03-16

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