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一种半导体发光元件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411046954.6
申请日：
2024-08-01
公开(公告)号：
CN118969925B
公开(公告)日：
2025-10-31
发明(设计)人：
郑锦坚 邓和清 蓝家彬 寻飞林 李晓琴 蔡鑫 陈婉君 刘紫涵 李水清
申请人：
安徽格恩半导体有限公司
申请人地址：
237161 安徽省六安市金安区巢湖路288号
IPC主分类号：
H10H20/816
IPC分类号：
H10H20/81
代理机构：
北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955
代理人：
戴丽伟
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 六安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-31 授权 授权
2024-11-15 公开 公开
2024-12-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/14申请日:20240801
共 50 条
[1]
一种半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
邓和清 ;
蓝家彬 ;
寻飞林 ;
李晓琴 ;
蔡鑫 ;
陈婉君 ;
刘紫涵 ;
李水清 .
中国专利 :CN118969925A ,2024-11-15
[2]
一种半导体发光元件的外延结构 [P]. 
郑锦坚 ;
寻飞林 ;
李水清 ;
邓和清 ;
蓝家彬 ;
蔡鑫 ;
刘紫涵 ;
黄军 ;
张会康 .
中国专利 :CN118888659A ,2024-11-01
[3]
一种具有空穴隧穿层的半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
李晓琴 ;
张会康 ;
陈婉君 ;
胡志勇 ;
季徐芳 ;
黄军 ;
李水清 .
中国专利 :CN117954548A ,2024-04-30
[4]
一种III族氮化物半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
黄军 ;
张会康 ;
蔡鑫 ;
蓝家彬 ;
刘紫涵 ;
李晓琴 ;
邓和清 ;
寻飞林 ;
李水清 .
中国专利 :CN118738240A ,2024-10-01
[5]
一种III族氮化物半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
黄军 ;
张会康 ;
蔡鑫 ;
蓝家彬 ;
刘紫涵 ;
李晓琴 ;
邓和清 ;
寻飞林 ;
李水清 .
中国专利 :CN118738240B ,2025-09-12
[6]
一种具有电流三维扩展层的半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
邓和清 ;
寻飞林 ;
李水清 ;
张江勇 ;
曹军 ;
陈婉君 ;
蔡鑫 ;
胡志勇 .
中国专利 :CN118248803A ,2024-06-25
[7]
半导体发光元件 [P]. 
小幡俊之 ;
桥本健宏 .
日本专利 :CN112868109B ,2025-06-27
[8]
半导体发光元件 [P]. 
程田高史 .
中国专利 :CN103904176A ,2014-07-02
[9]
半导体发光元件 [P]. 
小幡俊之 ;
桥本健宏 .
中国专利 :CN112868109A ,2021-05-28
[10]
半导体发光元件 [P]. 
金载润 ;
金制远 ;
李进馥 ;
黄硕珉 ;
河海秀 ;
李守烈 .
中国专利 :CN103650178A ,2014-03-19
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