一种半导体发光元件的外延结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410848271.6
申请日
2024-06-27
公开(公告)号
CN118888659A
公开(公告)日
2024-11-01
发明(设计)人
郑锦坚 寻飞林 李水清 邓和清 蓝家彬 蔡鑫 刘紫涵 黄军 张会康
申请人
安徽格恩半导体有限公司
申请人地址
237000 安徽省六安市金安区巢湖路288号
IPC主分类号
H01L33/14
IPC分类号
H01L33/06
代理机构
六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139
代理人
朱小杰
法律状态
公开
国省代码
安徽省 六安市
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共 50 条
[1]
一种半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
邓和清 ;
蓝家彬 ;
寻飞林 ;
李晓琴 ;
蔡鑫 ;
陈婉君 ;
刘紫涵 ;
李水清 .
中国专利 :CN118969925A ,2024-11-15
[2]
一种半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
邓和清 ;
蓝家彬 ;
寻飞林 ;
李晓琴 ;
蔡鑫 ;
陈婉君 ;
刘紫涵 ;
李水清 .
中国专利 :CN118969925B ,2025-10-31
[3]
一种具有空穴隧穿层的半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
李晓琴 ;
张会康 ;
陈婉君 ;
胡志勇 ;
季徐芳 ;
黄军 ;
李水清 .
中国专利 :CN117954548A ,2024-04-30
[4]
一种具有电流三维扩展层的半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
邓和清 ;
寻飞林 ;
李水清 ;
张江勇 ;
曹军 ;
陈婉君 ;
蔡鑫 ;
胡志勇 .
中国专利 :CN118248803A ,2024-06-25
[5]
一种半导体发光元件 [P]. 
李水清 ;
王星河 ;
胡志勇 ;
陈婉君 ;
张江勇 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN117476835A ,2024-01-30
[6]
一种半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
李水清 ;
李晓琴 ;
胡志勇 ;
蔡鑫 ;
陈婉君 ;
王星河 .
中国专利 :CN117410403A ,2024-01-16
[7]
半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P]. 
楠木克辉 ;
佐藤寿朗 .
中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06
[8]
一种III族氮化物半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
黄军 ;
张会康 ;
蔡鑫 ;
蓝家彬 ;
刘紫涵 ;
李晓琴 ;
邓和清 ;
寻飞林 ;
李水清 .
中国专利 :CN118738240A ,2024-10-01
[9]
一种III族氮化物半导体发光元件 [P]. 
郑锦坚 ;
黄军 ;
张会康 ;
蔡鑫 ;
蓝家彬 ;
刘紫涵 ;
李晓琴 ;
邓和清 ;
寻飞林 ;
李水清 .
中国专利 :CN118738240B ,2025-09-12
[10]
一种III族氮化物半导体发光元件的外延结构 [P]. 
邓和清 ;
郑锦坚 ;
张江勇 ;
阚宏柱 ;
李水清 ;
寻飞林 ;
李晓琴 ;
蓝家彬 ;
蔡鑫 ;
陈婉君 ;
胡志勇 .
中国专利 :CN119092611B ,2025-10-31