一种碘化钠晶体的生长装置及晶体生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511009586.2

申请日：

2025-07-22

公开(公告)号：

CN120866923A

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

徐悟生张斌

申请人：

扬州佰烁晶体科技有限公司

申请人地址：

211400 江苏省扬州市仪征市开发区闽泰大道9号

IPC主分类号：

C30B11/00

IPC分类号：

C30B29/12

代理机构：

北京金硕果知识产权代理事务所(普通合伙) 11259

代理人：

曹甜甜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	公开	公开
2025-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20250722

共 50 条

[1]

一种晶体生长装置及碘化铯晶体生长方法 [P].

郑霄 ;

刘伟 ;

陆海松 ;

刘柱 ;

王伟 ;

孙磊 .

中国专利 :CN116200823B ,2024-04-16

[2]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN112746315A ,2021-05-04

[3]

连续加料LEC晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

莫东鸣 .

中国专利 :CN119465371A ,2025-02-18

[4]

一种晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

齐红基 ;

王晓亮 ;

赛青林 .

中国专利 :CN113512756A ,2021-10-19

[5]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

赵青松 ;

牛晓东 ;

顾小英 ;

胡智向 .

中国专利 :CN112725890A ,2021-04-30

[6]

晶体生长装置和晶体生长方法 [P].

彭程 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN113652751B ,2021-11-16

[7]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382B ,2025-11-14

[8]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382A ,2024-12-13

[9]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

堀冈佑吉 .

中国专利 :CN102187018A ,2011-09-14

[10]

晶体生长装置及生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

刘运连 ;

赵颂 ;

袁静 .

中国专利 :CN110820043A ,2020-02-21

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