一种表面等离子体光刻掩模版及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511347023.4

申请日：

2025-09-19

公开(公告)号：

CN120949500A

公开(公告)日：

2025-11-14

发明(设计)人：

罗先刚张涛高平赵博文徐建东郑博明

申请人：

中国科学院光电技术研究所

申请人地址：

610209 四川省成都市双流西航港光电路一号

IPC主分类号：

G03F1/00

IPC分类号：

G03F1/80 G03F1/68 G03F1/76

代理机构：

四川力久律师事务所 51221

代理人：

刘才俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/00申请日:20250919
2025-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于PDMS软掩模的表面等离子体光刻方法 [P].

何传王 ;

黄鹏 ;

董小春 ;

范斌 .

中国专利 :CN109212888A ,2019-01-15

[2]

一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法 [P].

罗先刚 ;

赵泽宇 ;

冯沁 ;

刘凯鹏 ;

王长涛 ;

高平 ;

杨磊磊 ;

刘玲 .

中国专利 :CN102629073A ,2012-08-08

[3]

表面等离子体纳米光刻法 [P].

李海华 .

中国专利 :CN101587296A ,2009-11-25

[4]

真空表面等离子体光刻装置 [P].

罗先刚 ;

马晓亮 ;

高平 ;

赵泽宇 ;

蒲明博 ;

薛磊 .

中国专利 :CN107817654A ,2018-03-20

[5]

探针诱导表面等离子体共振光刻装置及其光刻方法 [P].

赵成强 ;

徐文东 ;

洪小刚 ;

李小刚 ;

唐晓东 .

中国专利 :CN101408736A ,2009-04-15

[6]

表面等离子体共振曝光光刻方法 [P].

叶志成 ;

郑君 .

中国专利 :CN101441411B ,2009-05-27

[7]

一种表面等离子体近场光刻掩模拓扑优化的方法及系统 [P].

罗先刚 ;

徐明峰 ;

蒲明博 ;

桑迪 ;

马晓亮 ;

李雄 ;

高平 ;

赵泽宇 .

中国专利 :CN113962185A ,2022-01-21

[8]

表面等离子体纳米光刻结构及方法 [P].

王钦华 ;

陈根华 ;

楼益民 ;

曹冰 ;

许富洋 .

中国专利 :CN102636967A ,2012-08-15

[9]

一种表面等离子体超分辨干法光刻方法 [P].

罗先刚 ;

赵泽宇 ;

王长涛 ;

冯沁 ;

王彦钦 ;

刘利芹 ;

陶兴 ;

胡承刚 ;

黄成 ;

杨磊磊 .

中国专利 :CN102636965B ,2012-08-15

[10]

一种表面等离子体光刻成像结构 [P].

马乐 ;

韦亚一 ;

张利斌 .

中国专利 :CN117492330A ,2024-02-02

← 1 2 3 4 5 →