一种硫化镉靶材及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311164422.8

申请日：

2023-09-11

公开(公告)号：

CN117185816B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

文崇斌朱刘童培云

申请人：

先导薄膜材料（广东）有限公司

申请人地址：

511500 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区

IPC主分类号：

C04B35/547

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/626 C04B35/645 C23C14/34

代理机构：

清远市诺誉知识产权代理事务所(普通合伙) 44815

代理人：

龚元元

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硫化镉陶瓷靶材及其制备方法 [P].

吴任平 ;

董雪振 .

中国专利 :CN104264118B ,2015-01-07

[2]

高导电性硫化镉靶材及其制备方法 [P].

王波 ;

朱刘 ;

张佳 .

中国专利 :CN108002838B ,2018-05-08

[3]

硫化镉陶瓷靶材的制备方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN106350778A ,2017-01-25

[4]

一种硫化镉靶材制备方法及装置 [P].

胡智向 ;

朱刘 ;

刘留 .

中国专利 :CN105693248A ,2016-06-22

[5]

一种碲硫镉靶材及其制备方法与应用 [P].

余芳 ;

文崇斌 .

中国专利 :CN113233897A ,2021-08-10

[6]

一种碲化镉靶材及其制备方法 [P].

罗海奇 ;

王鹏飞 ;

徐文娜 ;

植锐俊 ;

朱卓南 ;

文崇斌 ;

胡智向 .

中国专利 :CN119161186A ,2024-12-20

[7]

一种锡酸镉靶材的制备方法 [P].

文崇斌 ;

余芳 ;

朱刘 ;

童培云 .

中国专利 :CN113213914B ,2021-08-06

[8]

一种硫化镉量子点及其制备方法 [P].

王珅 ;

韩松 ;

陈琦 .

中国专利 :CN112028115A ,2020-12-04

[9]

金属钇靶材及其制备方法 [P].

冯岩松 ;

黄培 ;

杨露辉 ;

蒋子为 ;

傅臻 ;

黄美松 ;

刘华 .

中国专利 :CN121161241A ,2025-12-19

[10]

一种陶瓷靶材及其制备方法 [P].

沈文兴 ;

朱刘 ;

童培云 ;

白平平 .

中国专利 :CN110171974A ,2019-08-27

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