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反熔丝OTP存储器及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510008157.7
申请日：
2025-01-02
公开(公告)号：
CN119947094B
公开(公告)日：
2025-10-31
发明(设计)人：
黄础熠 刘雯 胡晓明
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号：
H10B20/25
IPC分类号：
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 20/25申请日:20250102
2025-05-06 公开 公开
2025-10-31 授权 授权
共 50 条
[1]
反熔丝OTP存储器及其制造方法 [P]. 
黄础熠 ;
刘雯 ;
胡晓明 .
中国专利 :CN119947094A ,2025-05-06
[2]
反熔丝存储单元及其制造方法、反熔丝OTP存储器 [P]. 
黄础熠 ;
刘雯 ;
胡晓明 .
中国专利 :CN120730735A ,2025-09-30
[3]
反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法 [P]. 
凌周轩 ;
余快 ;
梁肖 ;
孙琪 .
中国专利 :CN115101478A ,2022-09-23
[4]
反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法 [P]. 
凌周轩 ;
余快 ;
梁肖 ;
孙琪 .
中国专利 :CN115101478B ,2025-10-31
[5]
存储器、反熔丝器件及其制造方法 [P]. 
冯鹏 ;
李雄 .
中国专利 :CN112447666A ,2021-03-05
[6]
OTP存储器及其制造方法、OTP电路 [P]. 
李雄 ;
朱黄霞 ;
冯鹏 .
中国专利 :CN115240746B ,2025-08-22
[7]
OTP存储器及其制造方法 [P]. 
刘俊文 ;
陈华伦 .
中国专利 :CN111129017B ,2020-05-08
[8]
存储器、反熔丝存储单元及其制造方法 [P]. 
冯鹏 ;
李雄 .
中国专利 :CN112447733A ,2021-03-05
[9]
反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN116343843B ,2025-05-30
[10]
反熔丝存储器 [P]. 
葛西秀男 ;
谷口泰弘 ;
川嶋泰彦 ;
樱井良多郎 ;
品川裕 ;
户谷达郎 ;
山口贵德 ;
大和田福夫 ;
吉田信司 ;
畑田辉男 ;
野田敏史 ;
加藤贵文 ;
村谷哲也 ;
奥山幸祐 .
日本专利 :CN111987101B ,2024-08-02
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