溅射靶材扩散焊接组合体及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111582072.8

申请日：

2021-12-22

公开(公告)号：

CN114192962B

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

高超林智行大岩一彦山田浩姚科科

申请人：

浙江最成半导体科技有限公司

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区银桥路326号

IPC主分类号：

B23K20/02

IPC分类号：

C23C14/35

代理机构：

北京东正专利代理事务所(普通合伙) 11312

代理人：

刘瑜冬

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省绍兴市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

溅射靶材扩散焊接组合体及方法 [P].

高超 ;

林智行 ;

大岩一彦 ;

山田浩 ;

姚科科 .

中国专利 :CN114192962A ,2022-03-18

[2]

溅射靶材扩散焊接组合体 [P].

高超 ;

林智行 ;

大岩一彦 ;

山田浩 ;

姚科科 .

中国专利 :CN216576031U ,2022-05-24

[3]

溅射靶材组合体及装配方法 [P].

大岩一彦 ;

姚科科 ;

山田浩 .

中国专利 :CN115430944A ,2022-12-06

[4]

溅射靶材组合体及装配方法 [P].

大岩一彦 ;

姚科科 ;

山田浩 .

中国专利 :CN115430944B ,2024-09-10

[5]

溅射靶材及溅射靶材的制造方法 [P].

黑田稔显 ;

柴田宪治 ;

渡边和俊 ;

岩谷幸作 .

日本专利 :CN119731367A ,2025-03-28

[6]

溅射靶材的制造方法及溅射靶材 [P].

萩原淳一郎 ;

东秀一 ;

神原正三 .

中国专利 :CN102753722B ,2014-09-03

[7]

溅射靶材及溅射靶材的主体 [P].

J·巴克菲勒 ;

R·埃勒 ;

J·瑞泽 ;

L·特伦 ;

G·奥福德 .

美国专利 :CN309057484S ,2025-01-07

[8]

溅射靶材及该溅射靶材的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

中岛基 ;

马场晴之 .

中国专利 :CN109477206A ,2019-03-15

[9]

溅射靶材及溅射装置 [P].

王文龙 ;

段献学 ;

白明基 .

中国专利 :CN103014639B ,2013-04-03

[10]

溅射靶、溅射靶材及其制造方法 [P].

小岛丰 ;

松前和男 ;

葛城成吾 .

中国专利 :CN101360844A ,2009-02-04

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