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适用于晶圆加工的剪切增稠抛光装置及抛光方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202511192898.1
申请日
:
2025-08-25
公开(公告)号
:
CN120862549A
公开(公告)日
:
2025-10-31
发明(设计)人
:
韦民
杭伟
邓乾发
沈蒙蒙
梁一微
吴凌伟
申请人
:
浙江工业大学
申请人地址
:
310014 浙江省杭州市拱墅区朝晖六区潮王路18号
IPC主分类号
:
B24B37/04
IPC分类号
:
B24B37/30
B24B57/02
代理机构
:
台州新诺智联知识产权代理事务所(普通合伙) 33556
代理人
:
王丹
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-11-18
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):B24B 37/04申请日:20250825
2025-10-31
公开
公开
共 50 条
[1]
一种适用于剪切增稠抛光的抛光头及抛光方法
[P].
郭江
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郭江
;
朱志成
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朱志成
;
宋传平
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宋传平
.
中国专利
:CN111702560B
,2020-09-25
[2]
晶圆抛光装置及晶圆抛光方法
[P].
杨玉凯
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杨玉凯
.
中国专利
:CN115431167A
,2022-12-06
[3]
剪切增稠抛光装置
[P].
胡自化
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胡自化
;
邹国良
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邹国良
;
邹涵
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邹涵
;
封龙龙
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封龙龙
;
秦长江
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秦长江
;
陈小告
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陈小告
.
中国专利
:CN115533731A
,2022-12-30
[4]
适用WC-Co合金的化学增强剪切增稠抛光液及抛光方法
[P].
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机构:
吕冰海
;
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机构:
柯明峰
;
赵梁
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机构:
浙江工业大学
浙江工业大学
赵梁
;
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机构:
王佳焕
;
陈宇扬
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浙江工业大学
浙江工业大学
陈宇扬
;
袁亨美
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机构:
浙江工业大学
浙江工业大学
袁亨美
.
中国专利
:CN121065703A
,2025-12-05
[5]
一种磁力超声辅助多工位剪切增稠抛光装置、抛光液及抛光方法
[P].
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机构:
张振宇
;
薛自航
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大连理工大学
大连理工大学
薛自航
;
李嘉新
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
李嘉新
;
余家欣
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
余家欣
;
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机构:
孟凡宁
;
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机构:
周红秀
;
石春景
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
石春景
;
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机构:
冯俊元
.
中国专利
:CN116442107B
,2025-11-18
[6]
用于晶圆的最终抛光方法及抛光晶圆
[P].
张越
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
张越
;
王明
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
王明
;
张静
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
张静
.
中国专利
:CN119609906A
,2025-03-14
[7]
晶圆抛光装置、晶圆抛光系统以及晶圆抛光方法
[P].
王同庆
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机构:
华海清科股份有限公司
华海清科股份有限公司
王同庆
;
王春龙
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机构:
华海清科股份有限公司
华海清科股份有限公司
王春龙
;
张美洁
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机构:
华海清科股份有限公司
华海清科股份有限公司
张美洁
.
中国专利
:CN117464552A
,2024-01-30
[8]
超声控制的剪切增稠抛光装置
[P].
董晨晨
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董晨晨
;
戴伟涛
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戴伟涛
;
吕冰海
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吕冰海
;
翁海舟
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翁海舟
;
袁巨龙
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袁巨龙
.
中国专利
:CN204123210U
,2015-01-28
[9]
晶圆抛光液、晶圆抛光方法和晶圆抛光装置
[P].
易德福
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机构:
江西德义半导体科技有限公司
江西德义半导体科技有限公司
易德福
;
丁勇
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机构:
江西德义半导体科技有限公司
江西德义半导体科技有限公司
丁勇
;
吴城
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机构:
江西德义半导体科技有限公司
江西德义半导体科技有限公司
吴城
.
中国专利
:CN118496766A
,2024-08-16
[10]
石英零件细小内孔剪切增稠抛光液及抛光装置和抛光方法
[P].
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机构:
张振宇
;
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机构:
张天宇
;
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机构:
冯俊元
;
周淳琛
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
周淳琛
;
论文数:
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机构:
孟凡宁
.
中国专利
:CN115741446B
,2025-01-14
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