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一种用于制备致密碳化钽涂层的浆料和烧结方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410878072.X
申请日：
2024-07-02
公开(公告)号：
CN118955140B
公开(公告)日：
2025-11-18
发明(设计)人：
尹君 李文翔 姜伟 康闻宇 康俊勇
申请人：
厦门大学
申请人地址：
361000 福建省厦门市思明南路422号
IPC主分类号：
C04B35/56
IPC分类号：
C04B35/622 C04B41/87
代理机构：
厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101
代理人：
李权
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/56申请日:20240702
2025-11-18 授权 授权
2024-11-15 公开 公开
共 50 条
[1]
一种用于制备致密碳化钽涂层的浆料和烧结方法 [P]. 
尹君 ;
李文翔 ;
姜伟 ;
康闻宇 ;
康俊勇 .
中国专利 :CN118955140A ,2024-11-15
[2]
碳化钽浆料、碳化钽涂层及其制备方法和坩埚 [P]. 
贺鹏博 ;
李亚林 .
中国专利 :CN118063214A ,2024-05-24
[3]
碳化钽浆料、碳化钽涂层及其制备方法和坩埚 [P]. 
贺鹏博 ;
李亚林 .
中国专利 :CN118063214B ,2024-11-12
[4]
碳化钽浆料及其制备方法、碳化钽涂层和碳化钽制品 [P]. 
贺鹏博 ;
李亚林 .
中国专利 :CN119241246A ,2025-01-03
[5]
一种低成本碳化钽涂层的制备方法 [P]. 
袁振洲 ;
刘欣宇 ;
何丽娟 .
中国专利 :CN106699228A ,2017-05-24
[6]
一种低温液相热压烧结制备致密碳化钽陶瓷的方法 [P]. 
耿欣 ;
温广武 ;
李俐 .
中国专利 :CN110372386B ,2019-10-25
[7]
碳化钽涂层及其制备方法、碳化钽涂层制品 [P]. 
刘恒昌 ;
薛运周 ;
何少龙 .
中国专利 :CN121109990A ,2025-12-12
[8]
一种用于半导体生长的碳化钽涂层及其制备方法 [P]. 
王丽焕 ;
冯翔宇 ;
徐现刚 .
中国专利 :CN118344185A ,2024-07-16
[9]
一种用于半导体生长的碳化钽涂层及其制备方法 [P]. 
王丽焕 ;
冯翔宇 ;
徐现刚 .
中国专利 :CN118344185B ,2025-05-23
[10]
碳化钽涂层的制备方法和制备装置 [P]. 
周亮亮 ;
张洁 ;
高玉强 ;
伍艳 ;
叶磊 .
中国专利 :CN117488407A ,2024-02-02
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