一种低成本碳化钽涂层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611179306.3

申请日：

2016-12-19

公开(公告)号：

CN106699228A

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

袁振洲刘欣宇何丽娟

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院

IPC主分类号：

C04B4150

IPC分类号：

C04B3556 C04B35645

代理机构：

北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003

代理人：

尹振启;张宇锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727780178 IPC(主分类):C04B 41/50 专利申请号:2016111793063 申请日:20161219
2017-05-24	公开	公开
2021-08-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 41/50 申请公布日:20170524

共 50 条

[1]

碳化钽浆料及其制备方法、碳化钽涂层和碳化钽制品 [P].

贺鹏博 ;

李亚林 .

中国专利 :CN119241246A ,2025-01-03

[2]

一种碳化钽涂层的制备方法 [P].

石林 ;

陈鹏飞 ;

罗胜益 ;

梁刚强 ;

杨倩倩 .

中国专利 :CN117185841B ,2025-08-15

[3]

一种用于制备致密碳化钽涂层的浆料和烧结方法 [P].

尹君 ;

李文翔 ;

姜伟 ;

康闻宇 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN118955140A ,2024-11-15

[4]

碳化钽涂层及其制备方法、碳化钽涂层制品 [P].

刘恒昌 ;

薛运周 ;

何少龙 .

中国专利 :CN121109990A ,2025-12-12

[5]

一种用于制备致密碳化钽涂层的浆料和烧结方法 [P].

尹君 ;

李文翔 ;

姜伟 ;

康闻宇 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN118955140B ,2025-11-18

[6]

一种用于半导体生长的碳化钽涂层及其制备方法 [P].

王丽焕 ;

冯翔宇 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118344185A ,2024-07-16

[7]

一种用于半导体生长的碳化钽涂层及其制备方法 [P].

王丽焕 ;

冯翔宇 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118344185B ,2025-05-23

[8]

一种碳化钽涂层及其制备方法 [P].

陈豆 ;

马远 ;

程丹妃 ;

李坚 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN116813383B ,2024-08-13

[9]

一种碳化钽多层涂层结构及其制备方法 [P].

陈益钢 ;

杨晓雨 ;

勾宏阳 ;

王馨彤 ;

张嘉慧 .

中国专利 :CN118307343A ,2024-07-09

[10]

碳化钽浆料、碳化钽涂层及其制备方法和坩埚 [P].

贺鹏博 ;

李亚林 .

中国专利 :CN118063214A ,2024-05-24

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