一种氧化镓横向增强型场效应晶体管及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510929047.4
申请日
2025-07-07
公开(公告)号
CN120812992A
公开(公告)日
2025-10-17
发明(设计)人
廖飞 游金乐 冯文林 杨晓占 马泽鹏
申请人
重庆理工大学
申请人地址
400054 重庆市巴南区红光大道69号
IPC主分类号
H10D30/60
IPC分类号
H10D64/66 H10D30/01
代理机构
重庆立川知识产权代理事务所(普通合伙) 50285
代理人
兰芳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
重庆市 市辖区
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共 50 条
[1]
氧化镓场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
吕元杰 ;
刘宏宇 ;
王元刚 ;
周幸叶 ;
宋旭波 ;
梁士雄 ;
谭鑫 ;
冯志红 .
中国专利 :CN110808212A ,2020-02-18
[2]
氧化镓场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
吕元杰 ;
王元刚 ;
周幸叶 ;
付兴昌 ;
宋旭波 ;
田秀伟 ;
梁士雄 ;
冯志红 .
中国专利 :CN110164769A ,2019-08-23
[3]
氧化镓场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
吕元杰 ;
王元刚 ;
周幸叶 ;
付兴昌 ;
宋旭波 ;
田秀伟 ;
梁士雄 ;
冯志红 .
中国专利 :CN110223920A ,2019-09-10
[4]
增强型氮化镓p型场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
马晓伟 ;
汪青 ;
卢宏浩 ;
陶文川 ;
王子扬 ;
文康尧 ;
王沛然 .
中国专利 :CN120018538A ,2025-05-16
[5]
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
刘宏宇 ;
吕元杰 ;
孙保瑞 ;
王元刚 ;
李保第 ;
胡泽先 ;
韩仕达 ;
卜爱民 ;
冯志红 .
中国专利 :CN117373925A ,2024-01-09
[6]
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
吕元杰 ;
王元刚 ;
周幸叶 ;
刘宏宇 ;
宋旭波 ;
梁士雄 ;
马春雷 ;
付兴昌 ;
冯志红 .
中国专利 :CN111180398B ,2020-05-19
[7]
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
刘宏宇 ;
吕元杰 ;
王元刚 ;
韩仕达 ;
方圆 ;
卜爱民 ;
冯志红 .
中国专利 :CN117373924A ,2024-01-09
[8]
一种增强型氮化镓场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
杜江锋 ;
赵亚鹏 ;
胡津玮 ;
欧阳梓沅 .
中国专利 :CN118610248A ,2024-09-06
[9]
一种氧化镓场效应晶体管及制备方法 [P]. 
吕元杰 ;
王元刚 ;
马春雷 ;
刘宏宇 ;
付兴昌 ;
宋旭波 ;
郭红雨 ;
冯志红 .
中国专利 :CN112951917B ,2021-06-11
[10]
一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法 [P]. 
赵晔 ;
陈兴 ;
冯倩 ;
王东 ;
李永军 ;
谭凯 ;
师小鸥 ;
刘瑜 ;
赵浩男 .
中国专利 :CN117712170A ,2024-03-15