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一种氧化镓横向增强型场效应晶体管及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510929047.4
申请日
:
2025-07-07
公开(公告)号
:
CN120812992A
公开(公告)日
:
2025-10-17
发明(设计)人
:
廖飞
游金乐
冯文林
杨晓占
马泽鹏
申请人
:
重庆理工大学
申请人地址
:
400054 重庆市巴南区红光大道69号
IPC主分类号
:
H10D30/60
IPC分类号
:
H10D64/66
H10D30/01
代理机构
:
重庆立川知识产权代理事务所(普通合伙) 50285
代理人
:
兰芳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
重庆市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-11-04
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20250707
2025-10-17
公开
公开
共 50 条
[1]
氧化镓场效应晶体管及其制备方法
[P].
吕元杰
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吕元杰
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刘宏宇
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周幸叶
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周幸叶
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宋旭波
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宋旭波
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梁士雄
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谭鑫
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谭鑫
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冯志红
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冯志红
.
中国专利
:CN110808212A
,2020-02-18
[2]
氧化镓场效应晶体管及其制备方法
[P].
吕元杰
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吕元杰
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王元刚
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周幸叶
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付兴昌
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付兴昌
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宋旭波
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田秀伟
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田秀伟
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冯志红
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冯志红
.
中国专利
:CN110164769A
,2019-08-23
[3]
氧化镓场效应晶体管及其制备方法
[P].
吕元杰
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吕元杰
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王元刚
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王元刚
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周幸叶
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付兴昌
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付兴昌
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田秀伟
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冯志红
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中国专利
:CN110223920A
,2019-09-10
[4]
增强型氮化镓p型场效应晶体管及其制备方法
[P].
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于洪宇
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马晓伟
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南方科技大学
南方科技大学
马晓伟
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汪青
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卢宏浩
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卢宏浩
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陶文川
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文康尧
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王沛然
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王沛然
.
中国专利
:CN120018538A
,2025-05-16
[5]
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法
[P].
刘宏宇
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中国电子科技集团公司第十三研究所
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胡泽先
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冯志红
.
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:CN117373925A
,2024-01-09
[6]
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法
[P].
吕元杰
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冯志红
.
中国专利
:CN111180398B
,2020-05-19
[7]
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法
[P].
刘宏宇
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卜爱民
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卜爱民
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机构:
冯志红
.
中国专利
:CN117373924A
,2024-01-09
[8]
一种增强型氮化镓场效应晶体管及其制备方法
[P].
杜江锋
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杜江锋
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赵亚鹏
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赵亚鹏
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胡津玮
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胡津玮
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欧阳梓沅
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欧阳梓沅
.
中国专利
:CN118610248A
,2024-09-06
[9]
一种氧化镓场效应晶体管及制备方法
[P].
吕元杰
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吕元杰
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王元刚
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王元刚
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马春雷
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马春雷
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刘宏宇
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付兴昌
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郭红雨
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郭红雨
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冯志红
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冯志红
.
中国专利
:CN112951917B
,2021-06-11
[10]
一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法
[P].
赵晔
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西安电子科技大学芜湖研究院
西安电子科技大学芜湖研究院
赵晔
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陈兴
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陈兴
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冯倩
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王东
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王东
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李永军
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谭凯
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师小鸥
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师小鸥
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:CN117712170A
,2024-03-15
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