一种高比容和低膨胀硅基负极材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511070209.X

申请日：

2025-07-31

公开(公告)号：

CN120854543A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

高剑韩洪川

申请人：

四川长虹新材料科技有限公司

申请人地址：

622150 四川省绵阳市梓潼县经开区文昌大道南段970号

IPC主分类号：

H01M4/38

IPC分类号：

H01M4/04 H01M4/36 H01M4/583

代理机构：

四川伯诚志专专利代理事务所(普通合伙) 51440

代理人：

钟睿

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/38申请日:20250731

共 50 条

[1]

一种兼具高比容和高功率的硅基负极材料及其制备方法 [P].

高剑 ;

韩洪川 .

中国专利 :CN119674031A ,2025-03-21

[2]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

王秀田 ;

曾绍忠 ;

赵志刚 ;

陈效华 .

中国专利 :CN104332594B ,2015-02-04

[3]

一种硅基负极材料 [P].

薛旭金 ;

孙永明 ;

薛峰峰 ;

李云峰 ;

李凌云 ;

李霞 ;

李洁 ;

李富斌 ;

施翠莲 ;

王晓兵 .

中国专利 :CN112786848A ,2021-05-11

[4]

一种硅基负极材料及其制备方法 [P].

胡毅 ;

陈艳丽 ;

沈桢 ;

陈仁忠 ;

何霞 .

中国专利 :CN105118974A ,2015-12-02

[5]

一种硅基负极材料及其方法 [P].

王秀田 ;

曾绍忠 ;

赵志刚 ;

陈效华 .

中国专利 :CN104112847B ,2014-10-22

[6]

一种硅基负极材料的制备方法 [P].

高波 ;

朱广林 ;

杨东升 ;

王艺璇 ;

涂赣峰 .

中国专利 :CN109686942A ,2019-04-26

[7]

一种沥青基硅炭负极材料及制备方法和应用 [P].

陈成猛 ;

齐志燕 ;

陈景鹏 ;

谢莉婧 .

中国专利 :CN118619252A ,2024-09-10

[8]

一种高比容量硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

张志杰 ;

曾勤勤 ;

钟明峰 ;

罗子昊 .

中国专利 :CN116477600B ,2024-06-14

[9]

一种核壳结构硅基负极材料的制备方法 [P].

丁男 ;

林少雄 ;

刘超辉 .

中国专利 :CN112216826A ,2021-01-12

[10]

一种硅基改性负极材料的制备方法、电极以及电池 [P].

蒋玉雄 ;

林大钦 ;

钟启仲 .

中国专利 :CN118458779A ,2024-08-09

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