一种半导体/光伏行业含氟废水深度处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511198141.3

申请日：

2025-08-26

公开(公告)号：

CN120841786A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

赵歆治母永宽杨沫

申请人：

赵歆治

申请人地址：

300190 天津市南开区天房天拖秋泽园1-2-1801

IPC主分类号：

C02F9/00

IPC分类号：

C01B7/19 C01D1/28 C02F1/44 C02F1/469 C02F1/66 C02F101/14 C02F1/00 C02F1/04 C02F1/28

代理机构：

北京路胜元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11669

代理人：

路兆强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C02F 9/00申请日:20250826

共 50 条

[1]

一种含氟废水深度处理方法 [P].

史贞峰 ;

尚勇 ;

王路路 ;

李宝禄 .

中国专利 :CN110040878B ,2019-07-23

[2]

一种含氟废水深度处理方法 [P].

夏斌 ;

陈昭亮 ;

司家济 ;

史江华 ;

郭仕鹏 .

中国专利 :CN120510963A ,2025-08-19

[3]

一种高浓度含氟废水深度处理方法 [P].

刘佳 ;

蒋士龙 ;

戎宇舟 ;

顾雨辰 ;

周子健 ;

胡致祯 .

中国专利 :CN110304754B ,2019-10-08

[4]

一种高含氟废水深度处理方法 [P].

胡龙华 ;

陈延 ;

张小青 ;

倪惜平 ;

杨杰 ;

王成 ;

唐晓坤 ;

刘华 .

中国专利 :CN118495740A ,2024-08-16

[5]

一种含氟废水深度处理装置 [P].

乔春生 ;

陈兴权 ;

殷礼文 ;

乔明晨 ;

李涛 ;

颜锦华 .

中国专利 :CN209815862U ,2019-12-20

[6]

一种半导体废水深度除氟系统 [P].

于金旗 ;

张鹤清 ;

陈立 ;

孙磊 ;

杨童 ;

唐珍建 ;

薛松 .

中国专利 :CN223496334U ,2025-10-31

[7]

一种高浓度含氟废水深度处理方法及设备 [P].

张友德 ;

李荣景 ;

钱益武 ;

程雨涵 ;

尹星 .

中国专利 :CN118529838A ,2024-08-23

[8]

一种低浓度含氟废水深度处理方法和系统 [P].

张志强 ;

时冬 ;

曹辉 ;

郭策 ;

张著 ;

张保成 ;

翟春龙 ;

祝凯 ;

刘通 ;

齐奇 .

中国专利 :CN118929980A ,2024-11-12

[9]

一种高浓度含氟废水深度处理方法及设备 [P].

张友德 ;

李志猛 ;

龚炎华 ;

郝玄文 .

中国专利 :CN118529838B ,2024-10-11

[10]

一种含氟废水深度处理装置 [P].

马君 ;

黄为 .

中国专利 :CN223705391U ,2025-12-23

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