一种半导体废水深度除氟系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422957449.9

申请日：

2024-12-02

公开(公告)号：

CN223496334U

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

于金旗张鹤清陈立孙磊杨童唐珍建薛松

申请人：

中建环能科技股份有限公司中建环能（北京）环保有限公司

申请人地址：

610045 四川省成都市武侯区武兴一路3号

IPC主分类号：

C02F9/00

IPC分类号：

C02F1/48 C02F1/58 C02F1/52 B01F35/82 B01F35/221 C02F101/14 C02F103/34

代理机构：

成都欣圣知识产权代理有限公司 51292

代理人：

李雅

法律状态：

授权

国省代码：

四川省成都市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体废水深度除氟处理装置 [P].

张进 ;

刘建军 .

中国专利 :CN218371910U ,2023-01-24

[2]

一种废水深度除氟处理系统 [P].

洪卫 ;

张增国 ;

梁世华 ;

于长伟 ;

李华 ;

陈慧慧 ;

金晓佩 ;

张琨 ;

梁高选 .

中国专利 :CN209352684U ,2019-09-06

[3]

一种电镀废水深度除氟系统 [P].

龚波 ;

杨柽瀚 ;

林贵彪 ;

邹丽娜 .

中国专利 :CN207726915U ,2018-08-14

[4]

工业废水深度除氟处理装置 [P].

朱季霞 ;

杨亮亮 ;

孙玉龙 ;

袁丽锋 ;

张鹏 .

中国专利 :CN212655596U ,2021-03-05

[5]

一种高氟废水深度除氟方法及除氟系统 [P].

何军勇 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN118359335A ,2024-07-19

[6]

一种半导体行业废水的深度除氟处理系统 [P].

周森 ;

贾燕敏 ;

毛颖 ;

刘伟 ;

赵志强 ;

李政 ;

赵法振 ;

高超 .

中国专利 :CN216549785U ,2022-05-17

[7]

一种废水深度除氟装置 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN220999320U ,2024-05-24

[8]

一种半导体/光伏行业含氟废水深度处理方法 [P].

赵歆治 ;

母永宽 ;

杨沫 .

中国专利 :CN120841786A ,2025-10-28

[9]

一种电镀废水深度除氟系统及方法 [P].

龚波 ;

杨柽瀚 ;

林贵彪 ;

邹丽娜 .

中国专利 :CN107487939A ,2017-12-19

[10]

一种半导体废水零排放深度除氟装置 [P].

尚勇 ;

高龙群 ;

刘凯 ;

宋彬铜 ;

段云超 .

中国专利 :CN221254316U ,2024-07-02

← 1 2 3 4 5 →