ウェーハの面取り装置、及び、面取り方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240056542

申请日：

2024-03-29

公开(公告)号：

JP2025153863A

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

B24B53/00

IPC分类号：

B24B9/00 B24B49/18 B24B53/07 B24B53/12 H01L21/304

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法律状态信息

共 50 条

[1]

ウェーハの加工方法、インゴットの加工方法及びウェーハ[ja] [P].

日本专利 :JP2025176507A ,2025-12-04

[2]

ウェハの分割方法および加工方法ならびにウェハ分割装置[ja] [P].

ASAHI NOBORU .

日本专利 :JP2025074550A ,2025-05-14

[3]

熱電ウェハ及びその製造方法[ja] [P].

MORITA WATARU ;

YAMAZAKI TOSHIYA ;

MASUMOTO MUTSUMI .

日本专利 :JP2024143442A ,2024-10-11

[4]

半導体ウェハの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022534373A ,2022-07-29

[5]

製造過程の半導体ウェーハおよび製造過程関連のウェーハおよびシステムの周辺を保護する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017535064A ,2017-11-24

[6]

製造過程の半導体ウェーハおよび製造過程関連のウェーハおよびシステムの周辺を保護する方法[ja] [P].

日本专利 :JP6221012B1 ,2017-10-25

[7]

基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置および方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023543662A ,2023-10-18

[8]

基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置および方法[ja] [P].

日本专利 :JP7682999B2 ,2025-05-26

[9]

半導体材料ウェハを研磨するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP5853041B2 ,2016-02-09

[10]

官能基化ウェルプレート、その作製及び使用方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022502017A ,2022-01-11

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