等离子体蚀刻方法和半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180042125.9

申请日：

2021-06-24

公开(公告)号：

CN115699266B

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

松井一真冈优希

申请人：

株式会社力森诺科

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

李照明;段承恩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻方法和半导体元件的制造方法 [P].

松井一真 ;

冈优希 .

中国专利 :CN115699266A ,2023-02-03

[2]

等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法 [P].

谷口谦介 ;

吹野康彦 .

中国专利 :CN1971856A ,2007-05-30

[3]

等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法 [P].

野泽俊久 ;

佐佐木胜 ;

桥本润 ;

吉村正太 ;

小津俊久 ;

西塚哲也 .

中国专利 :CN102403183B ,2012-04-04

[4]

等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法 [P].

中川显 ;

大塚雄二 .

中国专利 :CN102651336A ,2012-08-29

[5]

半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置 [P].

栉引理人 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN102169823A ,2011-08-31

[6]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻系统 [P].

齐藤英树 ;

松井久 ;

宇贺神肇 .

中国专利 :CN107731681B ,2018-02-23

[7]

蚀刻方法和半导体元件的制造方法 [P].

松井一真 .

中国专利 :CN113906541A ,2022-01-07

[8]

蚀刻方法以及半导体元件的制造方法 [P].

松井一真 .

日本专利 :CN115868011B ,2025-10-03

[9]

等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法 [P].

田原慈 ;

西村荣一 ;

山下扶美子 ;

富田宽 ;

大岩德久 ;

大口寿史 ;

大村光广 .

中国专利 :CN102315095A ,2012-01-11

[10]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

宇田秀一郎 ;

平山祐介 .

中国专利 :CN101521158B ,2009-09-02

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