共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
蚀刻方法以及半导体元件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202180041568.6
申请日：
2021-05-27
公开(公告)号：
CN115868011B
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
松井一真
申请人：
株式会社力森诺科
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L21/3065
IPC分类号：
代理机构：
北京市中咨律师事务所 11247
代理人：
刘航;段承恩
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-03 | 授权 | 授权 |