一种光伏硅片背面扩散工艺和TOPCon电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411287704.1

申请日：

2024-09-13

公开(公告)号：

CN120826056A

公开(公告)日：

2025-10-21

发明(设计)人：

陈曙鑫明伟辉叶文兰

申请人：

环晟光伏（江苏）有限公司

申请人地址：

214203 江苏省无锡市宜兴市宜兴经济技术开发区文庄路20号

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

C30B29/06 C30B33/02 C30B33/08

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

张家蕊

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-21	公开	公开
2025-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20240913

共 50 条

[1]

一种TOPCon电池磷扩散工艺 [P].

欧文凯 ;

董思敏 ;

向亮睿 .

中国专利 :CN113808927A ,2021-12-17

[2]

一种TOPCon电池硼扩散工艺 [P].

马世新 ;

陆祥 ;

乐雄英 ;

荆晨露 ;

谢宇 .

中国专利 :CN118431336A ,2024-08-02

[3]

一种TOPCon电池的扩散工艺 [P].

何其金 ;

何飞 ;

方艺霖 ;

徐小萍 ;

于帆 ;

宋剑 ;

蔡鹏 ;

王自磊 ;

朱超 .

中国专利 :CN119132933A ,2024-12-13

[4]

一种大尺寸硅片扩散工艺 [P].

何秋霞 ;

朱军 ;

杨韦 ;

马擎天 .

中国专利 :CN113078234A ,2021-07-06

[5]

一种基于光伏电池的变温扩散工艺 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115642201A ,2023-01-24

[6]

一种降低光伏硅片电阻率的方法和TOPCon电池 [P].

陈曙鑫 ;

明伟辉 ;

蒋富辉 .

中国专利 :CN120882142A ,2025-10-31

[7]

一种单晶硅片扩散工艺 [P].

倪金乐 ;

李建飞 ;

吴永前 ;

吴杨 ;

刘胜 ;

严前程 .

中国专利 :CN118471794A ,2024-08-09

[8]

PERC电池及其扩散工艺 [P].

郑献波 ;

高强 ;

肖建军 .

中国专利 :CN117790619A ,2024-03-29

[9]

多晶硅片的磷扩散工艺 [P].

顾峰 .

中国专利 :CN102347222A ,2012-02-08

[10]

一种硅片的磷吸杂扩散工艺 [P].

曹江伟 ;

杨晓琴 ;

张广路 ;

蒋洋洋 .

中国专利 :CN105185870A ,2015-12-23

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