一种单晶硅片扩散工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410544345.7

申请日：

2024-05-06

公开(公告)号：

CN118471794A

公开(公告)日：

2024-08-09

发明(设计)人：

倪金乐李建飞吴永前吴杨刘胜严前程

申请人：

中建材浚鑫（桐城）科技有限公司

申请人地址：

231400 安徽省安庆市桐城经济开发区北3路

IPC主分类号：

H01L21/223

IPC分类号：

C30B31/06 G06F30/20 G06F119/18

代理机构：

无锡智睿风行知识产权代理事务所(普通合伙) 32631

代理人：

张璋

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省安庆市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-09	公开	公开
2024-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/223申请日:20240506

共 50 条

[1]

一种大尺寸硅片扩散工艺 [P].

何秋霞 ;

朱军 ;

杨韦 ;

马擎天 .

中国专利 :CN113078234A ,2021-07-06

[2]

多晶硅片的磷扩散工艺 [P].

顾峰 .

中国专利 :CN102347222A ,2012-02-08

[3]

一种硅片的磷吸杂扩散工艺 [P].

曹江伟 ;

杨晓琴 ;

张广路 ;

蒋洋洋 .

中国专利 :CN105185870A ,2015-12-23

[4]

一种改善硅片表面扩散工艺的扩散机构 [P].

王天齐 ;

梁立成 ;

彭锐超 ;

罗显凯 .

中国专利 :CN216864384U ,2022-07-01

[5]

一种高开路电压的单晶电池扩散工艺 [P].

孙涌涛 ;

宋飞飞 .

中国专利 :CN106299021A ,2017-01-04

[6]

一种单晶硅电池高效浅结高方阻的扩散工艺 [P].

王智敏 ;

张邓海 ;

汪振鲁 ;

江剑斌 .

中国专利 :CN117558828A ,2024-02-13

[7]

一种链式扩散工艺 [P].

吴俊旻 ;

张鹏 ;

常青 ;

谢耀辉 ;

张冠纶 .

中国专利 :CN109037044A ,2018-12-18

[8]

一种扩散工艺用扩散炉 [P].

邹大恒 ;

张圣尧 ;

赵帅 .

中国专利 :CN222613545U ,2025-03-14

[9]

一种硅片一次负压扩散工艺 [P].

李亚哲 ;

王彦君 ;

孙晨光 ;

徐长坡 ;

陈澄 ;

武卫 ;

梁效峰 ;

黄志焕 ;

杨玉聪 ;

李丽娟 ;

朱建佶 .

中国专利 :CN109308996A ,2019-02-05

[10]

一种低温扩散工艺研究 [P].

刘汉清 .

中国专利 :CN104300035A ,2015-01-21

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