单片LED像素

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180020229.X

申请日：

2021-03-25

公开(公告)号：

CN115244691B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

J·怀特曼

申请人：

普列斯半导体有限公司

申请人地址：

英国德文郡

IPC主分类号：

H01L25/075

IPC分类号：

H10H29/14 H10H20/82 H10H29/851 H10H29/01

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

王欢;臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

王涛 .

美国专利 :CN112823421B ,2025-08-08

[2]

王涛 .

中国专利 :CN112823421A ,2021-05-18

[3]

像素化LED [P].

凯瑟琳·A·莱瑟达勒 ;

杨朝晖 .

中国专利 :CN102576783A ,2012-07-11

[4]

LED像素灯 [P].

张金虎 ;

李首伦 ;

沈凯 .

中国专利 :CN303573817S ,2016-01-27

[5]

形成单片发光二极管前驱体的方法 [P].

W·S·谭 .

中国专利 :CN114788003A ,2022-07-22

[6]

用于显示器的LED像素和具有该LED像素的显示设备 [P].

蔡钟炫 ;

李贞勳 ;

张成逵 ;

金彰渊 ;

李豪埈 .

中国专利 :CN110828435A ,2020-02-21

[7]

微LED显示器像素架构 [P].

K·阿迈德 ;

P·拉达克里什南 ;

K·帕里克 .

中国专利 :CN109074779B ,2018-12-21

[8]

多像素LED布置 [P].

D·博纳特 .

德国专利 :CN117881035A ,2024-04-12

[9]

一种GaN基LED与TFT异质单片集成的LED微显示像素单元结构 [P].

刘立林 ;

张向英 .

中国专利 :CN106449661A ,2017-02-22

[10]

单片多色、多量子阱半导体LED [P].

廖世蓉 ;

叶瑾琳 ;

提叻德切·德切普罗姆 ;

陈志佳 ;

叶亚川 .

中国专利 :CN1790756A ,2006-06-21

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