单片多色、多量子阱半导体LED

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510098678.9

申请日：

2005-09-09

公开(公告)号：

CN1790756A

公开(公告)日：

2006-06-21

发明(设计)人：

廖世蓉叶瑾琳提叻德切·德切普罗姆陈志佳叶亚川

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦;杨红梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-16	授权	授权
2012-08-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101433732793 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005100986789 变更事项:专利权人变更前权利人:蓝波光电股份有限公司变更后权利人:奥斯坦多科技公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国加利福尼亚州登记生效日:20120705
2006-06-21	公开	公开
2020-08-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20050909 授权公告日:20080716 终止日期:20190909

共 50 条

[1]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

[2]

多量子阱半导体元件的纵向空间分析方法 [P].

葛啸天 ;

黄荣 ;

许蕾蕾 ;

黄增立 ;

翁雪霏 ;

王荣新 ;

凌小伦 .

中国专利 :CN120834025A ,2025-10-24

[3]

具有多量子阱结构的半导体激光二极管 [P].

小河直毅 .

中国专利 :CN108011295B ,2018-05-08

[4]

多量子阱半导体激光器及其制备方法 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN102801108B ,2012-11-28

[5]

多量子阱器件 [P].

片山泰尚 ;

D·纽恩斯 ;

崔章琪 .

中国专利 :CN101305467A ,2008-11-12

[6]

一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法 [P].

吴克敏 ;

魏世祯 ;

董彬忠 ;

王江波 .

中国专利 :CN102368519B ,2012-03-07

[7]

InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法 [P].

刘斌 ;

智婷 ;

张荣 ;

陶涛 ;

谢自力 ;

郭旭 ;

葛海雄 ;

陈鹏 ;

陈敦军 ;

韩平 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN105206727A ,2015-12-30

[8]

InGaAs/AlGaAs单量子阱及多量子阱半导体激光器有源区外延结构 [P].

王海珠 ;

张彬 ;

王曲惠 ;

邹永刚 ;

范杰 ;

徐莉 ;

马晓辉 .

中国专利 :CN111490456A ,2020-08-04

[9]

LED的量子阱结构及其生长方法 [P].

于斌 ;

王耀国 ;

郭丽彬 .

中国专利 :CN102881790A ,2013-01-16

[10]

半导体LED景观路灯 [P].

周武双 .

中国专利 :CN201696971U ,2011-01-05

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