多量子阱半导体激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210275276.1

申请日：

2012-08-03

公开(公告)号：

CN102801108B

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

张普刘兴胜熊玲玲王贞福刘晖聂志强

申请人：

申请人地址：

710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号光机所10号楼三层301室

IPC主分类号：

H01S534

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

陈广民

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

[2]

深紫外多量子阱半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P].

乔忠良 ;

赵志斌 ;

李再金 ;

任永学 ;

李林 ;

曲轶 .

中国专利 :CN111082318B ,2020-04-28

[3]

双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法 [P].

张普 ;

王警卫 ;

梁雪杰 ;

宗恒军 ;

刘兴胜 .

中国专利 :CN102684066A ,2012-09-19

[4]

双通道液体制冷多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

王警卫 ;

梁雪杰 ;

宗恒军 ;

刘兴胜 .

中国专利 :CN202772419U ,2013-03-06

[5]

InGaAs/AlGaAs单量子阱及多量子阱半导体激光器有源区外延结构 [P].

王海珠 ;

张彬 ;

王曲惠 ;

邹永刚 ;

范杰 ;

徐莉 ;

马晓辉 .

中国专利 :CN111490456A ,2020-08-04

[6]

半导体激光器量子阱混杂装置及半导体激光器制备工艺 [P].

李宁 ;

冷祥 ;

魏明 .

中国专利 :CN121055156A ,2025-12-02

[7]

一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构 [P].

乔忠良 ;

李占国 ;

薄报学 ;

高欣 ;

张晶 ;

李特 ;

李林 ;

李辉 ;

王勇 ;

曲轶 .

中国专利 :CN104332826A ,2015-02-04

[8]

半导体激光器及其制备方法 [P].

周坤 ;

刘建平 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN105790072A ,2016-07-20

[9]

半导体激光器及其制备方法 [P].

李俣 ;

杭青岭 ;

宋云鹏 .

中国专利 :CN114400506B ,2024-01-12

[10]

半导体激光器 [P].

横川翔子 ;

中林厚 .

日本专利 :CN115332942B ,2024-11-22

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101604413749 IPC(主分类):H01S 5/34 专利申请号:2012102752761 变更事项:申请人变更前权利人:西安中科光机投资控股有限公司变更后权利人:西安立芯光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号祖同楼三楼323室变更后权利人:710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号光机所10号楼三层301室登记生效日:20130510
2013-06-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101604413748 IPC(主分类):H01S 5/34 专利申请号:2012102752761 变更事项:申请人变更前权利人:中国科学院西安光学精密机械研究所变更后权利人:西安中科光机投资控股有限公司变更事项:地址变更前权利人:710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号变更后权利人:710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号祖同楼三楼323室登记生效日:20130510
2015-06-24	授权	授权
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383324570 IPC(主分类):H01S 5/34 专利申请号:2012102752761 申请日:20120803
2012-11-28	公开	公开