深紫外多量子阱半导体激光器的外延结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911370428.4

申请日：

2019-12-26

公开(公告)号：

CN111082318B

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

乔忠良赵志斌李再金任永学李林曲轶

申请人：

申请人地址：

571158 海南省海口市龙昆南路99号

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465

代理人：

赵徐平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-18	授权	授权
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20191226
2020-04-28	公开	公开

共 50 条

[1]

多量子阱半导体激光器及其制备方法 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN102801108B ,2012-11-28

[2]

多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN202712685U ,2013-01-30

[3]

InGaAs/AlGaAs单量子阱及多量子阱半导体激光器有源区外延结构 [P].

王海珠 ;

张彬 ;

王曲惠 ;

邹永刚 ;

范杰 ;

徐莉 ;

马晓辉 .

中国专利 :CN111490456A ,2020-08-04

[4]

一种深紫外半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P].

乔忠良 ;

赵志斌 ;

李再金 ;

任永学 ;

李林 ;

曲轶 .

中国专利 :CN111129954A ,2020-05-08

[5]

双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法 [P].

张普 ;

王警卫 ;

梁雪杰 ;

宗恒军 ;

刘兴胜 .

中国专利 :CN102684066A ,2012-09-19

[6]

双通道液体制冷多量子阱半导体激光器 [P].

张普 ;

王警卫 ;

梁雪杰 ;

宗恒军 ;

刘兴胜 .

中国专利 :CN202772419U ,2013-03-06

[7]

一种深紫外垂直腔半导体激光器外延结构及制备方法 [P].

乔忠良 ;

赵志斌 ;

李再金 ;

任永学 ;

李林 ;

曲轶 .

中国专利 :CN111064075A ,2020-04-24

[8]

半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P].

刘育衔 ;

吴文俊 ;

唐松 ;

杨国文 .

中国专利 :CN120109650B ,2025-09-02

[9]

半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P].

刘育衔 ;

吴文俊 ;

唐松 ;

杨国文 .

中国专利 :CN120728370A ,2025-09-30

[10]

半导体激光器的外延结构及其制备方法 [P].

刘育衔 ;

吴文俊 ;

唐松 ;

杨国文 .

中国专利 :CN120109650A ,2025-06-06

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